1 |
1
다공성 분리막 기재 및상기 다공성 분리막 기재의 표면에 형성된 무기 코팅층으로서, Al2O3, Si3N4, 및 SiO2, ZrO2, ZnO, SiC, CeO2, WC, 및 유리분말 중에서 선택된 1종 이상의 무기 분말과; 폴리비닐리덴 플로우라이드(PVdF), 폴리프로필렌, 및 폴리에틸렌 중에서 선택된 1종 이상의 결합제와; 용매를 포함하는 분리막 코팅재로 형성한 무기 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 분리막
|
2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 무기 분말의 입자크기는, 1~5㎛인 것을 특징으로 하는 이차전지용 분리막
|
3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 용매는, N-Methyl-2-Pyrrolidon(NMP), N,N-Dimethyl-acetamide(DMA), 및 N,N-Dimethyl-Formamide(DMF) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 분리막
|
4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 결합제는, Polyvinylidene fluoride, Polyproplyene, 및 Polyethylene 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 분리막
|
5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 분리막 코팅재 총 100중량부를 기준으로, 상기 무기분말 1~300중량부, 상기 결합제 1~50중량부, 및 상기 용매 100~500중량부로 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 분리막
|
6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 분리막 코팅재는, 상기 가소제, 분산제, 소포제, 계면활성제 중 적어도 1종 이상의 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 분리막
|
7 |
7
이차전지용 분리막의 제조방법에 있어서,다공성 분리막 기재의 표면에, Al2O3, Si3N4, 및 SiO2, ZrO2, ZnO, SiC, CeO2, WC, 및 유리분말 중에서 선택된 1종 이상의 무기 분말과; 폴리비닐리덴 플로우라이드(PVdF), 폴리프로필렌, 및 폴리에틸렌 중에서 선택된 1종 이상의 결합제와; 용매를 포함하는 분리막 코팅재로 코팅하여 무기 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 분리막의 제조방법
|