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ＩＺＴＯ계 투명 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015222312
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 IZTO계 투명 박막 트랜지스터에 관한 것이다.즉, 본 발명의 IZTO계 투명 박막 트랜지스터는 플렉서블 기판과; 상기 플렉서블 기판 상부에 형성된 투습 방지막과; 상기 투습 방지막 상부에 IZTO 박막으로 형성된 소스층 및 드레인층과; 상기 소스층에서 상기 드레인층까지 연결되고, 상기 투습 방지막 상부에 IZTO 박막으로 형성된 채널층과; 상기 소스층, 드레인층 및 채널층을 감싸며 형성되며, 서로 다른 굴절률을 갖는 제 1 절연막과 제 2 절연막이 적층되어 이루어진 형성된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 상부에 형성되며, IZTO 박막으로 이루어진 게이트 전극층으로 구성된다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020110016866 (2011.02.25)
출원인 재단법인 구미전자정보기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0097580 (2012.09.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.25)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 구미전자정보기술원 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이도경 대한민국 경상북도 구미시
2 신한재 대한민국 대구광역시 달서구
3 한동철 대한민국 경북 구미시
4 최영철 대한민국 경북 구미시
5 황도연 대한민국 서울특별시 광진구 동일로**길 ** (군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0137007-60
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0181458-95
3 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0492961-55
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2015-5019496-52
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.02.28 수리 (Accepted) 4-1-2018-0010296-48
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번호 청구항
1 1
플렉서블 기판과; 상기 플렉서블 기판 상부에 형성된 투습 방지막과; 상기 투습 방지막 상부에 IZTO 박막으로 형성된 소스층 및 드레인층과; 상기 소스층에서 상기 드레인층까지 연결되고, 상기 투습 방지막 상부에 IZTO 박막으로 형성된 채널층과; 상기 소스층, 드레인층 및 채널층을 감싸며 형성되며, 서로 다른 굴절률을 갖는 제 1 절연막과 제 2 절연막이 적층되어 이루어진 형성된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 상부에 형성되며, IZTO 박막으로 이루어진 게이트 전극층으로 구성된 IZTO계 투명 박막 트랜지스터
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 절연막과 상기 제 2 절연막은 상호 입자 사이즈를 다른 물질로 이루어진 IZTO계 투명 박막 트랜지스터
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 절연막과 상기 제 2 절연막은,이종 물질의 절연막이며, Nb2O3, Al2O3 및 SiO2 중 하나로 구성하는 IZTO계 투명 박막 트랜지스터
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 소스층과 상기 드레인층 각각과 상기 채널층 사이에 형성되며, 상기 채널층보다 비저항이 낮고 상기 소스층과 상기 드레인층보다 비저항이 높은 IZTO 박막으로 이루어진 전압 완충층이 더 구성하는 IZTO계 투명 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.