맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

반도체 기억소자용 전극구조 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015223010
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기억소자용 전극구조 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 계열(폴리 실리콘, 산화 실리콘, 실리콘)의 기재의 상측에 루테늄 카보닐(Ru3(CO)12)을 열분해에 의해 증착하여 루테늄(Ru)층을 형성한 다음, 상기 루테늄(Ru)층의 상측에 루테늄 카보닐(Ru3(CO)12)을 산소와 함께 반응시켜 증착하여 산화루테늄(RuO2)층을 형성한 후, 상기 산화루테늄(RuO2)층의 상측에 메틸사이클로펜타디에닐 트리메틸 백금( (CH3)3(CH3C5H4)Pt )을 산소와 함께 반응시켜 증착하여 백금(Pt)층을 형성하여 이루어 지는 반도체 기어소자용 전극구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 구성에 의하면, 넓은 면적의 증착과 치밀한 미세구조를 갖는 박막을 얻을 수 있으며, 고온에서 안정한 계면상태를 유지하며 폴리실리콘의 산화도 억제되고 구성 원소들의 상호확산도 거의 일어나지 않아 이 전극구조는 유전체와 폴리실리콘과의 적층을 위한 하부전극 및 장벽층으로 활용할 수 있다.
Int. CL H01L 29/40 (2006.01)
CPC H01L 28/65(2013.01) H01L 28/65(2013.01)
출원번호/일자 1019990006667 (1999.02.27)
출원인 대한민국(충남대학교)
등록번호/일자 10-0306387-0000 (2001.08.08)
공개번호/일자 10-2000-0056909 (2000.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010926) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.02.27)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 대한민국(충남대학교) 대한민국 대전 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤순길 대한민국 대전광역시 서구
2 신웅철 대한민국 대전광역시 유성구
3 최은석 대한민국 충청남도 연기군
4 황준식 대한민국 대전광역시 중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.02.27 수리 (Accepted) 1-1-1999-0016233-05
2 보정통지서
Request for Amendment		 1999.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1999-0003834-13
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 1999.04.02 수리 (Accepted) 1-1-1999-0029899-85
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1999.08.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5301842-36
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.08.23 수리 (Accepted) 4-1-1999-0109648-34
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.08.23 수리 (Accepted) 4-1-1999-0109646-43
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.08.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0103688-58
8 등록사정서
Decision to grant		 2000.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0313277-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2001-0021472-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2001-0021466-63
11 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 2001.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2001-5058889-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 계열(폴리 시리콘, 산화 실리콘, 실리콘)의 기재와,

상기 기재의 상측에 증착/형성된 루테늄(Ru)층과,

상기 루테늄(Ru)층의 상측에 증착/형성된 산화루테늄(RuO2)층과,

상기 산화루테늄(RuO2)층의 상측에 증착/형성된 백금(Pt)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자용 전극구조

2 2

제1항에 있어서,

상기 백금(Pt)층 위에 증착/형성된 유전체층 및, 상기 유전체층위에 증착/형성된 상부전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자용 전극구조

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 루테늄(Ru)층은 루테늄 카보닐(Ru3(CO)12)이 열분해에 의해 증착/형성되고,

상기 산화루테늄(RuO2)층은 루테늄 카보닐(Ru3(CO)12)이 산소와 함께 반응하여 증착/형성되며,

상기 백금(Pt)층은 메틸사이클로펜타디에닐 트리메틸 백금( (CH3)3(CH3C5H4)Pt )이 산소와 함께 반응하여 증착/형성되어 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자용 전극구조

4 4

실리콘 계열(폴리 시리콘, 산화 실리콘, 실리콘)의 기재의 상측에 루테늄 카보닐(Ru3(CO)12)을 열분해에 의해 증착하여 루테늄(Ru)층을 형성한 다음,

상기 루테늄(Ru)층의 상측에 루테늄 카보닐(Ru3(CO)12)을 산소와 함께 반응시켜 증착하여 산화루테늄(RuO2)층을 형성한 후,

상기 산화루테늄(RuO2)층의 상측에 메틸사이클로펜타디에닐 트리메틸 백금( (CH3)3(CH3C5H4)Pt )을 산소와 함께 반응시켜 증착하여 백금(Pt)층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자용 전극구조의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.