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GTEM셀의복사에미션측정방법

  • 기술번호 : KST2015223871
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자제품내의 클럭발진 등의 이유로 발생되는 전자파의 방사정도를 검사하기 위한 즉, 복사 에미션(radiated emission) 측정을 위한 실험시설인 야외시험장(Open Area Test Site; 이하, OATS라 칭함)의 대체 시설중 하나인 GTEM(Giga-Hertz Transverse Electromagnetic)셀의 OATS와의 상관관계를 얻기 위한 복사 에미션 측정방법에 관한 것이다.
Int. CL G01R 29/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019950017175 (1995.06.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0226426-0000 (1999.07.27)
공개번호/일자 10-1997-0002345 (1997.01.24) 문서열기
공고번호/일자 (19991015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.06.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이애경 대한민국 대전광역시 서구
2 윤재훈 대한민국 대전광역시 중구
3 심환우 대한민국 대전광역시 유성구
4 조광윤 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1995.06.23 수리 (Accepted) 1-1-1995-0073742-54
2 출원심사청구서
Request for Examination
1995.06.23 수리 (Accepted) 1-1-1995-0073743-00
3 특허출원서
Patent Application
1995.06.23 수리 (Accepted) 1-1-1995-0073741-19
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1995.09.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1995-0073744-45
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.24 수리 (Accepted) 1-1-1995-0073745-91
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0073746-36
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1998.03.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0073747-82
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1998.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0038055-23
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1998.07.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1995-0073749-73
10 의견서
Written Opinion
1998.07.24 수리 (Accepted) 1-1-1995-0073748-27
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1998.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0472129-72
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.01.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5001542-96
13 의견서
Written Opinion
1999.01.07 수리 (Accepted) 1-1-1999-5001541-40
14 거절사정서
Decision to Refuse a Patent
1999.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0112438-23
15 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.05.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-1999-0009727-78
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.07 수리 (Accepted) 4-1-1999-0068414-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.10 수리 (Accepted) 4-1-1999-0069115-94
18 등록사정서
Decision to grant
1999.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0172056-81
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

전자제품내의 클럭발진 등의 이유로 발생되는 전자파의 복사 에미션 측정을 위한 시설인 GTEM 셀고 OATS 와의 상관관계를 얻기 위한 복사 에미션 측정방법에 있어서, GTEM 셀의 좌표를 (X, Y, Z)로 설정하고 피시험체의 좌표를 (X', Y', Z')로 설정할 경우, 상기 GTEM 셀의 좌표(X, Y, Z)와 피시험체의 좌표(X', Y', Z')를 일치시킨 피시험체의 좌표를 (XX', YY', ZZ')으로 초기화하고 제 1 및 제 2 측정변수를 초기화하는 제 1 단계와 ; 제 1 측정변수를 1만큼 증가시키고, 제 1 측정변수에 따른 에미션 전력을 측정한 수, 상기 제 1 단계에서 초기화된 제 1 측정변수와 제 2 측정변수를 비교하는 제 2 단계와 ; 상기 제 2 단계의 비교결과에 따라 Y축에 대해 반시계방향으로 피시험체를 45°및 90°만큼 회전시킨 후 상기 제 2 단계로 재진행하는 제 3 단계와 ; 상기 제 2 단계와 제 3 단계를 소정 임계치의 범위내에서 반복수행하며 상기 피시험체의 공간좌표를 수정하는 제 4 단계와 ; 복사전계강도를 측정하기 위해 사용되는 주파수를 초기화하고, 피시험체의 바닥중심으로부터 거리, 최대수직전계, 최대수평전계, 피시험체의 회전각 및 피시험체의 높이를 측정하는 제 5 단계와 ; X, Y 좌표를 갖는 직각 좌표를 상기 제 5 단계에서 초기화된 피시험체의 회전각 및 높이를 갖는 원통 좌표로 변경하고, 변경된 원통좌표와 상기 제 2 단계에서 측정된 GTEM 전송전력을 참조하여 각 검사주파수 범위에서 최대 수직/수평전계를 계산하는 제 6 단계와 ; 상기 제 6 단계에서 계산된 최대수직전계와 수직전계를 비교하고, 상기 제 6 단계에서 계산된 최대수평전계와 수평전계를 비교하는 제 7 단계와 ; 수직전계 및 수평전계가 최대수직전계 및 최대수평전계보다 클 경우, 그 수직전계를 최대수직전계로서 저장하고 그 수평전계를 최대수평전계로서 저장한 후, 피시험체의 높이가 소정값일 때 상기 제 6 단계와 제 7 단계를 반복하는 제 8 단계와, 상기 제 8 단계에서 피시험체의 높이가 소정값일 경우, 피시험체의 회전각을 소정값으로 할 때 상기 제 5 단계의 피시험체의 단계높이를 소정값으로 초기화하는 처리를 반복하는 제 9 단계와 ; 그리고 그 회전각을 소정값으로 설정할 경우, 상기 제 8 단계에서 저장한 최대 수직전계 및 수평전계를 출력하고, 상기 주파수가 소정값으로 설정될 때 상기 제 5 단계에서 초기화된 주파수를 출력하는 제 10 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 GTEM 셀의 OATS와의 상관 관계를 얻기 위한 복사 에미션 측정방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제 3 단계는, 상기 제 2 단계의 비교결과, 제 1 측정변수가 제 2 측정 변수 보다 클 경우 Y 축에 대해 반시계방향으로 45°만큼 피시험체를 회전시키고, 상기 제 2 단계로 복귀하는 제 3-1 부단계와 ; 상기 제 2 단계의 비교결과, 제 1 측정변수가 제 2 측정변수보다 클 경우, 제 1 측정변수를 제 1 내지 제 3 소정값 각각에 대해 비교하는 제 3-2 부단계와 ; 그리고 상기 제 3-2 부단계의 비교결과 제 1 측정변수가 제 1 내지 제 3 소정값과 같을 경우, Y축에 대해 반시계방향으로 90°만큼 피시험체를 회전시키는 제 3-3 부단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 GTEM 셀의 OATS와의 상관관계를 얻기 위한 복사 에미션 측정방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제 4 단계는, 제 2 측정변수를 제 1 측정변수(n) 보다 2 만큼 큰 값으로 설정하는 상기 제 3-2 부단계의 비교결과로서 제 1 측정변수가 제 1 소정값과 같을 경우, 상기 제 1 단계에서 초기화된 (XX', YY', ZZ')형태의 피시험체 좌표를 (XY', YZ' ZZ')형태의 피시험체 좌표로 변경한 후, 상기 제 2 단계와 제 3 단계의 처리를 반복하는 제 4-1 부단계와 ; 제 2 측정변수를 제 1 측정변수(n)보다 2만큼 큰 값으로 설정하는 상기 제 3-2 부단계의 비교결과로서 제 1 측정변수가 제 2 소정값과 같을 경우, 상기 제 4-1 부단계에서 변경된 (XY', YZ' ZX')형태의 피시험체 좌표를 (XZ', YX' ZY')형태의 피시험체 좌표로 변경한 후, 상기 제 2 단계와 제 3 단계의 처리를 반복하는 제 4-2 부단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 GTEM 셀의 OATS와의 상관관계를 얻기 위한 복사 에미션 측정방법

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1 US05825331 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CH692228 CH 스위스 DOCDBFAMILY
2 US5825331 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.