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전자제품내의 클럭발진 등의 이유로 발생되는 전자파의 복사 에미션 측정을 위한 시설인 GTEM 셀고 OATS 와의 상관관계를 얻기 위한 복사 에미션 측정방법에 있어서, GTEM 셀의 좌표를 (X, Y, Z)로 설정하고 피시험체의 좌표를 (X', Y', Z')로 설정할 경우, 상기 GTEM 셀의 좌표(X, Y, Z)와 피시험체의 좌표(X', Y', Z')를 일치시킨 피시험체의 좌표를 (XX', YY', ZZ')으로 초기화하고 제 1 및 제 2 측정변수를 초기화하는 제 1 단계와 ; 제 1 측정변수를 1만큼 증가시키고, 제 1 측정변수에 따른 에미션 전력을 측정한 수, 상기 제 1 단계에서 초기화된 제 1 측정변수와 제 2 측정변수를 비교하는 제 2 단계와 ; 상기 제 2 단계의 비교결과에 따라 Y축에 대해 반시계방향으로 피시험체를 45°및 90°만큼 회전시킨 후 상기 제 2 단계로 재진행하는 제 3 단계와 ; 상기 제 2 단계와 제 3 단계를 소정 임계치의 범위내에서 반복수행하며 상기 피시험체의 공간좌표를 수정하는 제 4 단계와 ; 복사전계강도를 측정하기 위해 사용되는 주파수를 초기화하고, 피시험체의 바닥중심으로부터 거리, 최대수직전계, 최대수평전계, 피시험체의 회전각 및 피시험체의 높이를 측정하는 제 5 단계와 ; X, Y 좌표를 갖는 직각 좌표를 상기 제 5 단계에서 초기화된 피시험체의 회전각 및 높이를 갖는 원통 좌표로 변경하고, 변경된 원통좌표와 상기 제 2 단계에서 측정된 GTEM 전송전력을 참조하여 각 검사주파수 범위에서 최대 수직/수평전계를 계산하는 제 6 단계와 ; 상기 제 6 단계에서 계산된 최대수직전계와 수직전계를 비교하고, 상기 제 6 단계에서 계산된 최대수평전계와 수평전계를 비교하는 제 7 단계와 ; 수직전계 및 수평전계가 최대수직전계 및 최대수평전계보다 클 경우, 그 수직전계를 최대수직전계로서 저장하고 그 수평전계를 최대수평전계로서 저장한 후, 피시험체의 높이가 소정값일 때 상기 제 6 단계와 제 7 단계를 반복하는 제 8 단계와, 상기 제 8 단계에서 피시험체의 높이가 소정값일 경우, 피시험체의 회전각을 소정값으로 할 때 상기 제 5 단계의 피시험체의 단계높이를 소정값으로 초기화하는 처리를 반복하는 제 9 단계와 ; 그리고 그 회전각을 소정값으로 설정할 경우, 상기 제 8 단계에서 저장한 최대 수직전계 및 수평전계를 출력하고, 상기 주파수가 소정값으로 설정될 때 상기 제 5 단계에서 초기화된 주파수를 출력하는 제 10 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 GTEM 셀의 OATS와의 상관 관계를 얻기 위한 복사 에미션 측정방법
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제1항에 있어서, 상기 제 3 단계는, 상기 제 2 단계의 비교결과, 제 1 측정변수가 제 2 측정 변수 보다 클 경우 Y 축에 대해 반시계방향으로 45°만큼 피시험체를 회전시키고, 상기 제 2 단계로 복귀하는 제 3-1 부단계와 ; 상기 제 2 단계의 비교결과, 제 1 측정변수가 제 2 측정변수보다 클 경우, 제 1 측정변수를 제 1 내지 제 3 소정값 각각에 대해 비교하는 제 3-2 부단계와 ; 그리고 상기 제 3-2 부단계의 비교결과 제 1 측정변수가 제 1 내지 제 3 소정값과 같을 경우, Y축에 대해 반시계방향으로 90°만큼 피시험체를 회전시키는 제 3-3 부단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 GTEM 셀의 OATS와의 상관관계를 얻기 위한 복사 에미션 측정방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제 4 단계는, 제 2 측정변수를 제 1 측정변수(n) 보다 2 만큼 큰 값으로 설정하는 상기 제 3-2 부단계의 비교결과로서 제 1 측정변수가 제 1 소정값과 같을 경우, 상기 제 1 단계에서 초기화된 (XX', YY', ZZ')형태의 피시험체 좌표를 (XY', YZ' ZZ')형태의 피시험체 좌표로 변경한 후, 상기 제 2 단계와 제 3 단계의 처리를 반복하는 제 4-1 부단계와 ; 제 2 측정변수를 제 1 측정변수(n)보다 2만큼 큰 값으로 설정하는 상기 제 3-2 부단계의 비교결과로서 제 1 측정변수가 제 2 소정값과 같을 경우, 상기 제 4-1 부단계에서 변경된 (XY', YZ' ZX')형태의 피시험체 좌표를 (XZ', YX' ZY')형태의 피시험체 좌표로 변경한 후, 상기 제 2 단계와 제 3 단계의 처리를 반복하는 제 4-2 부단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 GTEM 셀의 OATS와의 상관관계를 얻기 위한 복사 에미션 측정방법
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