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태양전지용 다결정 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법에 있어서,상기 다결정 실리콘 웨이퍼의 표면에 레이저를 통해 홀을 형성하는 제 1공정과;상기 홀 형성에 따른 표면 손상을 제거하도록 상기 홀이 형성된 다결정 실리콘 웨이퍼를 식각 용액에 침지시켜 표면을 습식 식각하는 제 2공정; 및습식 식각이 완료된 상기 다결정 실리콘 웨이퍼를 불화가스를 이용하여 플라즈마로 분해하여 표면을 건식 식각하는 제 3공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지용 다결정 실리콘 웨이퍼의 이중 표면조직화 방식을 이용한 텍스쳐링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 홀은,50~300㎛의 간격으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 다결정 실리콘 웨이퍼의 이중 표면조직화 방식을 이용한 텍스쳐링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 식각 용액은,불산이 6% 이상의 농도비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 다결정 실리콘 웨이퍼의 이중 표면조직화 방식을 이용한 텍스쳐링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 식각 용액은,질산이 20% 이상의 농도비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 다결정 실리콘 웨이퍼의 이중 표면조직화 방식을 이용한 텍스쳐링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 식각 용액은,초산이 8% 이상의 농도비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 다결정 실리콘 웨이퍼의 이중 표면조직화 방식을 이용한 텍스쳐링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 식각 용액은,불산:질산:초산:물이 8:21:10:61의 농도비로 혼합된 것을 특징으로 하는 태양전지용 다결정 실리콘 웨이퍼의 이중 표면조직화 방식을 이용한 텍스쳐링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2공정은,상기 식각 용액에 상기 홀이 형성된 다결정 실리콘 웨이퍼를 10~60초간 침지시키는 것을 특징으로 하는 태양전지용 다결정 실리콘 웨이퍼의 이중 표면조직화 방식을 이용한 텍스쳐링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 불화가스는,육불화 유황가스(SF6 : Sulfar Hexafluorid)인 것을 특징으로 하는 태양전지용 다결정 실리콘 웨이퍼의 이중 표면조직화 방식을 이용한 텍스쳐링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다결정 실리콘 웨이퍼는,n-형 다결정 실리콘 또는 p-형 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 태양전지용 다결정 실리콘 웨이퍼의 이중 표면조직화 방식을 이용한 텍스쳐링 방법
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