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염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법에 있어서,상면에 전도성 박막층이 형성된 투명 전도성 기판을 준비하는 제 1공정과;상기 전도성 박막층의 상면에 기제조된 금속도핑 산화티타늄 나노섬유가 함유된 산화티타늄 페이스트를 코팅한 후 열처리하여 광전극층을 형성하는 제 2공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법에 있어서,상면에 전도성 박막층이 형성된 투명 전도성 기판을 준비하는 제 A공정과;상기 전도성 박막층의 상면에 산화티타늄 페이스트를 코팅한 후 열처리하여 제 1광전극층을 형성하는 제 B공정; 및상기 제 1광전극층의 상면에 금속도핑 산화티타늄 나노섬유 페이스트를 코팅한 후 열처리하여 제 2광전극층을 형성하는 제 C공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법에 있어서,상면에 전도성 박막층이 형성된 투명 전도성 기판을 준비하는 제 a공정과;상기 전도성 박막층의 상면에 산화티타늄 페이스트를 코팅한 후 열처리하여 제 1광전극층을 형성하는 제 b공정; 및상기 제 1광전극층의 상면에 기제조된 금속도핑 산화티타늄 나노섬유가 함유된 산화티타늄 페이스트를를 코팅한 후 열처리하여 제 2광전극층을 형성하는 제 c공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법에 있어서,상면에 전도성 박막층이 형성된 투명 전도성 기판을 준비하는 제 Ⅰ공정과;상기 전도성 박막층의 상면에 산화티타늄 페이스트를 코팅한 후 열처리하여 제 1광전극층을 형성하는 제 Ⅱ공정; 및상기 제 1광전극층의 상면에 산화티타늄 나노섬유 페이스트를 코팅한 후 열처리하여 제 2광전극층을 형성하는 제 Ⅲ공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법에 있어서,상면에 전도성 박막층이 형성된 투명 전도성 기판을 준비하는 제 ⅰ공정과;상기 전도성 박막층의 상면에 산화티타늄 페이스트를 코팅한 후 열처리하여 제 1광전극층을 형성하는 제 ⅱ공정; 및상기 제 1광전극층의 상면에 산화티타늄 나노섬유가 함유된 산화티타늄 페이스트를 코팅한 후 열처리하여 제 2광전극층을 형성하는 제 ⅲ공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,상기 금속도핑 산화티타늄 나노섬유는,전구체 물질에 아세트산과 에탄올을 첨가하여 교반한 후, 고분자 물질을 첨가하여 균질의 합성 용액을 제조하는 합성 용액 제조 공정과;상기 합성 용액을 전기 방사하여 산화티타늄 나노섬유를 생성하는 나노 섬유 생성 공정과;상기 산화티타늄 나노섬유가 생성된 합성 용액에 금속도핑을 위해 금속 용액을 0
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7
제 6 항에 있어서,상기 전구체 물질은,TIP, TiCl4, Ti(OBu)4중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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8
제 6 항에 있어서,상기 고분자 물질은,PVP, PMMA, PVA, PVAc, PS, PEO, CA중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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9
제 6 항에 있어서,상기 금속은,Ag, Fe, Pt, Au, Co, Cu, V, Ni, Ce, Nd, Zn, Nb 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,상기 금속도핑 산화티타늄 나노섬유 페이스트는,졸-겔 방법, 수열합성방법, 마이크로웨이브 방법중 선택된 어느 하나의 방법으로 합성되는 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 금속도핑 산화티타늄 나노섬유가 함유된 산화티타늄 페이스트는,페이스트 총중량을 기준으로 상기 금속도핑 산화티타늄 나노섬유가 1~30%중량 혼합되는 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 산화티타늄 나노섬유는,전구체 물질에 아세트산과 에탄올을 첨가하여 교반한 후, 고분자 물질을 첨가하여 균질의 합성 용액을 제조하는 합성 용액 제조 공정과;상기 합성 용액을 전기 방사하여 산화티타늄 나노섬유를 생성하는 나노 섬유 생성 공정; 및산화티타늄 나노섬유를 소성하는 소성 공정을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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13
제 12 항에 있어서,상기 전구체 물질은,TIP, TiCl4, Ti(OBu)4중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 고분자 물질은,PVP, PMMA, PVA, PVAc, PS, PEO, CA중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 금속도핑 산화티타늄 나노섬유 페이스트는,졸-겔 방법, 수열합성방법, 마이크로웨이브 방법중 선택된 어느 하나의 방법으로 합성되는 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,상기 산화티타늄 페이스트는,졸-겔 방법, 수열합성방법, 마이크로웨이브 방법중 선택된 어느 하나의 방법으로 합성되는 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 산화티타늄 나노섬유가 함유된 산화티타늄 페이스트는,페이스트 총중량을 기준으로 상기 산화티타늄 나노섬유가 1~30%중량 혼합되는 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법
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제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항의 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 반도체산화물 섬유가 포함된 염료 감응형 태양전지 광전극
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