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유-무기 혼합 절연체를 사용한 유기 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015225201
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 절연층으로서 고분자와 무기 입자의 유-무기 혼합 절연체를 포함하고 있는 유기 박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor: OTFT)로서, 상기 유-무기 혼합 절연체는 절연성 고분자에 높은 유전상수의 무기 입자가 고르게 분산되어 있는 구조(A), 또는 고분자 층 상에 높은 유전상수의 무기 막이 형성되어 있는 구조(B)로 이루어져 있어서, 상기 고분자의 낮은 유전 특성을 보상하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 제공한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/0537(2013.01)
출원번호/일자 1020060056692 (2006.06.23)
출원인 홍익대학교부설과학기술연구소
등록번호/일자 10-0820077-0000 (2008.04.01)
공개번호/일자 10-2007-0121892 (2007.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (20080408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교부설과학기술연구소 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최종선 대한민국 경기도 고양시 일산구
2 박재훈 대한민국 서울특별시 노원구
3 최형진 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손창규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** *동 ****호(역삼동, 성지하이츠*차빌딩)(글로벌혜성특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교부설과학기술연구소 대한민국 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0444083-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0019583-27
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0248295-81
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0492954-26
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.07.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0492959-54
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0559839-24
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0880858-97
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.12.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0880907-36
10 등록결정서
Decision to grant
2008.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0153583-65
11 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2018.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0218173-16
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
절연층으로서 고분자와 무기 입자의 유 무기 혼합 절연체를 포함하고 있는 유기 박막 트랜지스터(OTFT)로서, 상기 유 무기 혼합 절연체는 절연성 고분자에 비해 상대적으로 높은 유전 상수의 무기 입자가 상기 절연성 고분자에 고르게 분산되어 있는 구조(A)로 이루어져 있고, 상기 유 무기 혼합 절연체의 절연층 구조(A)는 상기 무기 입자를 계면활성제가 표면 처리하여 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
3 3
절연층으로서 고분자와 무기 입자의 유 무기 혼합 절연체를 포함하고 있는 유기 박막 트랜지스터(OTFT)로서, 상기 유 무기 혼합 절연체는 절연성 고분자에 비해 상대적으로 높은 유전상수의 무기 입자가 상기 절연성 고분자에 고르게 분산되어 있는 구조(A)로 이루어져 있고, 상기 유 무기 혼합 절연체의 절연층 구조(A)는 측쇄에 산기를 포함하고 있는 고분자에 상기 무기 입자를 결합시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
4 4
절연층으로서 고분자와 무기 입자의 유 무기 혼합 절연체를 포함하고 있는 유기 박막 트랜지스터(OTFT)로서, 상기 유 무기 혼합 절연체는 절연성 고분자에 비해 상대적으로 높은 유전상수의 무기 막이 상기 고분자 층 상에 형성되어 있는 구조(B)로 이루어져 있고, 상기 유 무기 혼합 절연체의 절연층 구조(B)는 수분을 포함하지 않는 고분자를 용매에 용해시킨 용액과 상기 무기 입자의 전구체를 혼합하여 반응시킴으로써 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 2 항에 있어서, 상기 고분자는 PVP(poly-4-vinylphenol)이고, 상기 무기 입자는 TiO2인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 3 항에 있어서, 상기 고분자는 PMMA-co-MMA이고, 상기 무기 입자는 TiO2인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 4 항에 있어서, 상기 고분자는 PMMA-co-MMA 또는 폴리스틸렌이고, 상기 무기 입자의 전구체는 TTIP(titanium tetraisopropoxide)인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 4 항에 있어서, 상기 용매는 클로로포름(chloroform)인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 하나에 있어서, 상기 고분자와 무기 입자의 함량비(중량비)는 100:1 내지 1:1인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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