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저용량 전력 센스 MOSFET의 설계 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2015225255
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 Power Sense MOSFET은 Trench 공정을 이용하였으며, 0.35um Design Rule을 적용하여 설계하였다. 또한, 제작된 시제품은 기존의 제품보다 Chip Size를 소형화하였으며, 낮은 온저항을 가져 소비전력면에서 향상된 제품으로 평가 완료하였다. 그리고 제작할 당시 Field Ring을 4개로 설계하여 내압을 유지하는데 안정적 기반을 구축하였다. 이러한 설계를 바탕으로 중용량급 Power Sense MOSFET 소자의 설계 및 제작하는데 있어서, 기반을 구축하였다고 판단된다. Power Sense, MOSFET, FET
Int. CL H01L 29/78 (2006.01.01)
CPC H01L 29/49(2013.01) H01L 29/49(2013.01) H01L 29/49(2013.01) H01L 29/49(2013.01)
출원번호/일자 1020090092077 (2009.09.28)
출원인 극동대학교 산학협력단, 메이플세미컨덕터(주)
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0034525 (2011.04.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 극동대학교 산학협력단 대한민국 충북 음성군
2 메이플세미컨덕터(주) 대한민국 경기도 부천시 오정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강이구 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0596473-52
2 청구범위 제출유예 안내서
Notification for Deferment of Submission of Claims
2009.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0072449-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2009-5217775-88
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.11.12 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2009-0695749-03
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0700911-12
6 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2009.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0089205-78
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2009.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0100330-82
8 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2010.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0147993-97
9 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0277275-94
10 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0217037-84
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0217023-45
12 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.24 수리 (Accepted) 4-1-2011-5213390-79
14 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0089976-69
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0349257-10
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0749560-11
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-0058881-13
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.13 수리 (Accepted) 4-1-2014-0091098-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154911-36
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소자 설계 기준에 근거하여 소자를 설계하는 단계와, 상기 설계한 소자에 대한 신뢰성을 평가하는 단계와, 상기 신뢰성 평가에 따라 액티브 셀(active cell)을 설계하는 단계와, 상기 액티브 셀의 설계 후 접합 마감과 필드 링 및 필드 플레이트 설계를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저용량 전력 센스 MOSFET의 설계방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 소자 설계 단계는, 전력 센스 MOSFET의 항복전압을 결정하는 단계와, 상기 결정된 항복전압을 고려하여 온 저항을 설계하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저용량 전력 센스 MOSFET의 설계 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 온 저항 설계 단계는, 상기 온 저항 설계 단계는, 소자 영역의 크기를 결정하는 것을 특징으로 하는 저용량 전력 센스 MOSFET의 설계방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 신뢰성 평가는, 오프 상태에서 임계치 미만으로 누설전류가 발생하는지를 확인하는 것을 특징으로 하는 저용량 전력 센스 MOSFET의 설계방법
5 5
기판에 P 웰을 형성하는 단계와, 상기 P 웰 내에 N+ 에미터를 형성하는 단계와, 상기 N+ 에미터들 사이에 P+영역을 형성하는 단계와, 상기 N+ 에미터에 트랜치 게이트를 형성하는 단계와, 상기 BPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass)막을 형성하는 단계를 포함하는 저용량 전력 센스 MOSFET의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.