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트렌치 필드링 구조 및 설계방법

  • 기술번호 : KST2015225256
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1700V급 EST 시작품에 대한 TEG 및 full cell에 대한 전기적 특성을 완료하여 측정결과를 개시하였다. 또한 트랜치 게이트에 대한 최적화 설계를 셀의 사이즈 및 도핑 농도에 관한 다양한 시뮬레이션을 통해 구현하였으며, 시뮬레이션 결과와 공정결과를 비교하기 위한 TEG를 제작하였다. 이 제작된 TEG에 대한 특성 측정도 완료하였으며, p-floating layer를 갖는 EST 구조와 Trench를 이용한 field ring 구조도 제작하여 측정하였다. 특히 p-floating layer는 wafer bonding 방법을 이용하여 제작하였다. 이로 인해 향후 파워 소자 제작시 간단한 wafer bonding 방법을 적용할 수 있다는 결론을 얻게 되었다. 또한 Trenched FLR에 대한 특허출원으로 향후 특허권을 확보할 수 있을 것으로 예상되며, 설계에 대한 시뮬레이션과 공정설계 노하우를 바탕으로 현재 고내압화 기술을 정리하였으며, EST 뿐만 아니라 다른 소자의 설계에도 미치는 영향을 클 것으로 판단된다. EST, 트렌치, 사이리스터
Int. CL H01L 29/749 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/749(2013.01) H01L 29/749(2013.01) H01L 29/749(2013.01) H01L 29/749(2013.01)
출원번호/일자 1020090092079 (2009.09.28)
출원인 극동대학교 산학협력단, 메이플세미컨덕터(주)
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0034526 (2011.04.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 극동대학교 산학협력단 대한민국 충북 음성군
2 메이플세미컨덕터(주) 대한민국 경기도 부천시 오정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강이구 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 정안 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로 *** ***층(논현동,썬라이더빌딩)
2 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0596476-99
2 청구범위 제출유예 안내서
Notification for Deferment of Submission of Claims
2009.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0072865-94
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2009-5217775-88
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.11.12 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2009-0695749-03
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0700911-12
6 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2009.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0089205-78
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2009.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0100330-82
8 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2010.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0147993-97
9 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0277275-94
10 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0217053-15
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0217045-49
12 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.24 수리 (Accepted) 4-1-2011-5213390-79
14 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0089977-15
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0349261-93
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0654887-83
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0654890-10
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0749624-34
19 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2012.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-1075032-27
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-0058881-13
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.13 수리 (Accepted) 4-1-2014-0091098-98
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154911-36
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
에미터 스위치 사이리스터(EST) 소자가 형성되는 기판과, 상기 EST 소자의 가장자리에 소정 간격 변화율로 배치되며 트랜치 식각 공정에 의해 형성되는 다수 개의 필드 링을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜치 필드링 구조
2 2
제1항에 있어서, 상기 필드 링은, 상기 기판에 산화막을 형성한 후 사진공정을 통해 필드 링 패턴을 형성하고, 트랜치 식각공정을 수행하여 상기 형성된 필드 링 패턴의 영역을 식각하며 그 식각된 영역에 이온주입하여 확산하는 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜치 필드링 구조
3 3
실험계획법을 통해 트랜치 필드 링 설계 인자들의 영향성을 정량적 데이터로 추출하는 단계와, 상기 추출된 정량적 데이터에 근거하여 상기 인자들 중 트랜치 필드 링의 면적 및 전계분산에 영향을 미치는 인자들을 설계 변수로 선별하는 단계와, 상기 선별된 설계 변수들을 고려하여 트랜치 필드 링을 설계하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜치 필드링 설계 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 설계 변수는, 도즈(dose)량, 에너지(energy), 트랜치 깊이(trench depth), 트랜치 폭(trench width), 확산 시간(diffusion time)을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜치 필드링 설계 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 트랜치 필드 링 설계 단계는, 상기 설계변수들의 값을 설정하는 단계와, 상기 설정된 설계변수들의 값을 이용하여 공정시뮬레이션을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜치 필드링 설계 방법
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