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딥 트렌치 필링을 이용한 슈퍼 접합 전력 모스펫

  • 기술번호 : KST2015225258
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전력 MOSFET에 관한 것으로 deep trench filling 기술을 이용하여 super junction을 형성하는 것에 관한 것이다.상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면 600 V급 planar MOSFET 보다 super junction MOSFET 소자로 저전력 구현이 가능하고 전압 인가 시, 보다 더 높은 동작특성을 가지는 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01)
CPC H01L 29/0634(2013.01)
출원번호/일자 1020120056194 (2012.05.25)
출원인 극동대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0132085 (2013.12.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 극동대학교 산학협력단 대한민국 충북 음성군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강이구 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 정안 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로 *** ***층(논현동,썬라이더빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0422290-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.13 수리 (Accepted) 4-1-2014-0091098-98
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154911-36
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번호 청구항
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deep trench filling 기술을 이용한 MOSFET의 super junction 형성방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.