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| 요약 |
본 발명은 리튬이온 배터리 보호 회로에 관한 것으로, ring termination 구조의 최적화를 적용한 튬이온 배터리 보호 회로용 듀얼 타입 파워 모스펫에 관한 것이다.본 발명에서 개발예정인 전기자동차 배터리용 세이프 칩에 사용되는 Dual Type n-Channel MOSFET은 종래기술에서 발생되는 역전압 인가시 MOSFET의 영구 파괴의 요소를 보완한 것으로써, 향후 FR-FET의 소자의 개발은 그 수명 뿐 아니라 에너지 절감에도 지대한 영향을 줄 것으로 예상된다.또한, 전기자동차 배터리용 세이프 칩에 사용되는 Dual Type n-Channel MOSFET은 시스템 신뢰성을 향상시켜 원가절감 및 전력절감을 할 수 있는 효과도 있다.
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| Int. CL |
H01M 2/34 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01)
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| CPC |
H01M 2/34(2013.01) H01M 2/34(2013.01) H01M 2/34(2013.01)
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| 출원번호/일자 |
1020120056196
(2012.05.25)
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| 출원인 |
극동대학교 산학협력단
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| 등록번호/일자 |
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| 공개번호/일자 |
10-2013-0132086
(2013.12.04)
문서열기
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| 공고번호/일자 |
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| 국제출원번호/일자 |
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| 국제공개번호/일자 |
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| 우선권정보 |
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| 법적상태 |
취하 |
| 심사진행상태 |
수리 |
| 심판사항 |
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| 구분 |
신규 |
| 원출원번호/일자 |
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| 관련 출원번호 |
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| 심사청구여부/일자 |
N
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| 심사청구항수 |
1 |
