| 1 |
1
질화갈륨 분말을 합성함에 있어서, 입자의 균일성을 확보하기 위하여 갈륨과 염산(HCl) 가스를 600-900 ℃의 온도에서 반응시켜 기체상태의 염화갈륨 (GaCl)을 형성한 후 이를 질소가스와 함께 반응관으로 공급하여 암모니아 가스와 함께 800-1100℃의 온도에서 반응시켜 질화갈륨 분말을 합성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 분말 제조방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 염화갈륨(GaCl) 분말을 200-500℃의 온도에서 가열하여 기화시킨 후 질소가스와 함께 반응관으로 공급하여 암모니아 가스와 함께 800-1100℃의 온도에서 반응시켜 질화갈륨 분말을 합성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 분말 제조방법
|
| 3 |
3
질화갈륨 분말 입자 크기의 균일화를 위해 염화갈륨의 공급관(12)과 암모니아 가스 공급관(13)을 이중으로 설치하며, 염화갈륨의 공급관(12)과 암모니아 가스 공급관(13)의 외곽에는 질소가스를 빠른속도로 공급하는 질소가스 공급관(14)을 형성하고, 질화갈륨 분말이 합성되는 영역에는 질화갈륨 분말의 포집량을 극대화하기 위하여 반응관(10)내에 석영판(11)을 ㄹ자 형태로 가공하여 교번시켜 설치한 것을 특징으로 하는 질화갈륨 분말 제조 장치
|
| 4 |
4
제 1 항에서, 합성된 질화갈륨 분말의 표면에 전기적 절연층을 형성하기 위하여 질화갈륨 분말과 아연 (Zn), 카드늄 (Cd), 마그네슘 (Mg) 금속 분말을 석영관에 넣어 함께 회전시키며 가열 반응시켜 질화갈륨 분말의 표면에 p-형의 불순물이 균일하게 확산되도록 하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 분말 제조 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에서, 질화갈륨 분말의 발광효율 향상을 목적으로 p-형과 n-형의 불순물을 동시에 확산시키기 위하여 질화갈륨 분말과 황화 아연 (ZnS), 황화카드늄 (CdS), 산화아연 (ZnO) 등을 석영관에 넣어 함께 회전시키며 가열하여 질화갈륨 표면에 불순물이 균일하게 확산되도록 하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 분말 제조방법
|
| 6 |
6
제 4 항 또는 제 5 항에서, 석영관은 600-1100℃로 가열하며, 50-200 rpm의 속도로 회전시키는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 분말 제조 방법
|
| 7 |
7
표면에 전기적 절연층이 형성된 질화갈륨 분말을 하부 전극 위에 직접 도포하고 그 위에 직접 상부 전극을 형성한 구조의 전기발광소자
|
| 8 |
8
제 7 항에서, 구리 (Cu), 알루미늄 (Al) 판을 하부전극으로 하고 그 위에 직접 질화갈륨 분말을 도포한 후 상부에 직접 반투명성 금속 전극을 형성하는 것과 도포된 질화갈륨 분말 위에 직접 도전성 투명 산화물 전극을 형성하여 상부전극 방향으로 빛이 방출되게 구성한 것을 특징으로 하는 전기발광소자
|
| 9 |
9
제 7 항에서, 반투명성 금속 전극 또는 도전성 투명 산화물 전극이 형성된 유리 기판 위에 직접 질화갈륨 분말을 도포한 후 상부에 직접 금속 전극을 형성하여 유리기판 방향으로 빛이 방출되게 구성한 것을 특징으로 하는 전기발광소자
|
