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질화갈륨을 수㎛∼수십㎛ 크기로 분쇄하여 미세화 한 후 암모니아수용액 또는 질산용액을 이용하여 수산화갈륨 [GaOOH, GaO2H, GaO(OH), Ga2O3·H2O]를 합성하고, 이를 암모니아 가스분위기에서 600∼1100℃의 온도범위에서 열처리하여 입자의 크기가 나노미터인 질화갈륨(GaN)분말을 만드는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 분말 제조방법
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질화갈륨을 수㎛∼수십㎛ 크기로 분쇄하여 미세화 한 후 암모니아수용액 또는 질산용액을 이용하여 질화갈륨 표면에 수산화갈륨이 캡핑(capping)된 질화갈륨-수산화갈륨 혼합체 분말을 합성하고, 이를 암모니아 가스 또는 산소 가스분위기에서 500-1000℃의 온도범위에서 열처리하여 질화갈륨의 표면에 산화갈륨이 캡핑(capping)되고 크기가 나노미터인 질화갈륨-산화갈륨 혼합체 분말을 만드는 것을 특징으로 하는 질화갈륨-산화갈륨 혼합체 분말 제조방법
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질화갈륨을 수㎛∼수십㎛ 크기로 분쇄하여 미세화 한 후 이를 금속이 포함된 질산염수화물 [M(NO3)x-H2O; M은 금속]을 암모니아수용액 또는 질산용액에 용해시켜 함께 반응시켜 합성하고, 이를 암모니아 가스분위기에서 600∼1100℃의 온도범위에서 열처리하여 입자의 크기가 나노미터이고 불순물이 첨가된 질화갈륨(GaN)분말을 만드는 것을 특징으로 하는 불순물이 첨가된 질화갈륨 분말 제조방법
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질화갈륨을 수㎛∼수십㎛ 크기로 분쇄하여 미세화 한 후 이를 금속이 포함된 질산염수화물 [M(NO3)x-H2O; M은 금속]을 암모니아수용액 또는 질산용액에 용해시켜 함께 반응시켜 합성하고, 이를 암모니아 가스 또는 산소 가스분위기에서 500-1000℃의 온도범위에서 열처리하여 질화갈륨의 표면에 산화갈륨이 캡핑(capping)되고 입자 크기가 나노미터이며 불순물이 첨가된 질화갈륨-산화갈륨 혼합체 분말을 만드는 것을 특징으로 하는 불순물이 첨가된 질화갈륨-산화갈륨 혼합체 분말 제조방법
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 질산염수화물 [M(NO3)x-H2O; M은 금속]에 포함된 금속은 Cu, Ag, Zn, Cd, In, Si, Ge, Mg, Ca, Mn, Er, Y, Cr 인 것을 특징으로하는 불순물이 포함된 질화갈륨 분말 및 질화갈륨-산화갈륨 혼합체 분말 제조방법
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제1항 또는 제 2항 또는 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 질화갈륨 분말을 암모니아수용액 또는 질산수용액에 넣은 후 자연 방치하여 수산화갈륨을 합성하도록 하되 외부에서 분당 100-1000의 회전속도로 교반하거나, 상기의 수용액을 50-200 ℃의 온도로 가열하거나, 초음파를 쪼여 수산화갈륨의 합성속도를 빠르게 하는 질화갈륨-산화갈륨 혼합체 분말 제조방법
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전기발광소자(10)에 있어서, 하부전극(11)으로 사용하게 될 금속기판 위에 직접 질화갈륨-산화갈륨 혼합체 분말을 도포하여 형광체(13)를 형성한 후 그 위에 산화인듐주석 (ITO; indium tin oxide)와 같은 투명한 상부전극(12)을 형성하여 투명전극 방향으로 빛이 방출되게 구성한 것을 특징으로 하는 전기발광소자
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전기발광소자(20)에 있어서, 산화임듐주석과 같은 투명 하부전극(22)이 미리 형성된 유리기판(21) 위에 질화갈륨-산화갈륨 혼합체 분말을 도포하여 형광체(24)를 형성한 후 금속으로 상부전극(23)을 직접 형성하여 유리 기판(21)방향으로 빛이 방출되게 구성한 것을 특징으로 하는 전기발광소자
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제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 질화갈륨-산화갈륨 혼합체 분말은 전기적으로 도체인 질화갈륨이 전기적으로 절연체인 산화갈륨으로 둘러 쌓여 있는 것을 특징으로 하는 전기발광소자
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