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고열전도율을 갖는 반응소결질화규소의 제조 방법(Manufacturing Method of Sintered Reaction Bonded Silicon Nitride With High Thermal Conductivity)

  • 기술번호 : KST2015225477
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전력 디바이스 등의 방열 구조에 사용하기 적합한 고열전도율을 갖는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법이 제공된다. 본 발명은 Si 분말을 포함하는 원료 분말을 1 미크론 이하의 크기로 밀링하는 단계; 상기 밀링된 Si 분말 및 소결 조제를 혼합 및 성형하는 단계; 상기 성형체를 1350~1450oC에서 질화 처리하여 상기 성형체 내에 반응결합 질화규소를 형성하는 단계; 및 상기 반응결합 질화규소를 1850oC 이상의 온도에서 후소결하여반응소결질화규소소결체를 제조하는 단계를 포함하는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 높은 열전도율의 반응소결질화규소소결체를 제공할 수 있게 된다.
Int. CL C04B 35/584 (2006.01) C04B 35/14 (2006.01) C04B 35/64 (2006.01)
CPC C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01)
출원번호/일자 1020140050614 (2014.04.28)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1639576-0000 (2016.07.08)
공개번호/일자 10-2015-0124490 (2015.11.06) 문서열기
공고번호/일자 (20160718) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160036281;
심사청구여부/일자 Y (2014.04.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김해두 대한민국 경상남도 창원시 진해구
2 박영조 대한민국 경상남도 창원시 진해구
3 김진명 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 이재욱 대한민국 서울특별시 관악구
5 고재웅 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 김하늘 대한민국 경상남도 김해시 장

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0403000-73
2 보정요구서
Request for Amendment		 2014.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0076072-50
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0533359-18
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.11.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.12.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0099580-86
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0287702-08
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.06.30 무효 (Invalidation) 1-1-2015-0633831-15
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.30 무효 (Invalidation) 1-1-2015-0633833-06
9 보정요구서
Request for Amendment		 2015.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0110012-54
10 보정요구서
Request for Amendment		 2015.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0111075-98
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.07.14 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-0680979-43
12 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2015.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0117221-08
13 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.08.07 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-0769154-13
14 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.08.07 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-0769290-14
15 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.08.10 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-0772223-36
16 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2015.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0128132-90
17 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2015.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0131475-16
18 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.08.21 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-0810445-46
19 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.08.21 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-0814896-17
20 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2015.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0131876-11
21 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2015.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0132377-18
22 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2015.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0132532-99
23 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2015.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0132528-16
24 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2015.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0139728-48
25 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2015.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0147752-77
26 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2015.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0151161-43
27 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2015.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0151256-82
28 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2015.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0162233-90
29 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2015.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0162232-44
30 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2015.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0173833-21
31 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0133848-77
32 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0290291-93
33 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0290502-32
34 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.03.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0290347-51
35 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0291667-71
36 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Si 분말과 Si3N4 분말을 포함하는 원료 분말을 1 미크론 이하의 크기로 밀링하는 단계;상기 밀링된 원료 분말 및 소결 조제를 혼합 및 성형하는 단계;상기 성형체를 1350~1450oC에서 질화 처리하여 상기 성형체 내에 반응결합 질화규소를 형성하는 단계; 및상기 반응결합 질화규소를 1850oC 이상의 온도에서 후소결하여 반응소결질화규소소결체를 제조하는 단계를 포함하는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 반응결합 질화규소 형성 단계는 1400 oC 이하의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 원료 분말 중 Si3N4 분말의 함량은 상기 Si 분말이 Si3N4로 완전 질화되었을 때의 전체 Si3N4 함량 중 10~30% 포함되는 것을 특징으로 하는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 밀링 단계는 고에너지밀링에 의해 2시간 이상 수행되는 것을 특징으로 하는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법
6 6
Si 분말, Si3N4 분말 및 소결조제를 포함하는 원료 분말을 밀링하는 단계;상기 밀링된 원료 분말을 성형하는 단계;상기 성형체를 1350~1450oC에서 질화 처리하여 상기 성형체 내에 반응결합 질화규소를 형성하는 단계; 및상기 반응결합 질화규소를 후소결하여 반응소결질화규소소결체를 제조하는 단계를 포함하는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 Si3N4 분말의 함량은 상기 Si 분말이 Si3N4로 완전 질화되었을 때의 전체 Si3N4 함량 중 10~30% 포함하는 것을 특징으로 하는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 Si3N4 분말은 평균 입도가 1 마이크로미터 미만인 것을 특징으로 하는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법
9 9
제6항에 있어서,상기 Si 분말은 평균 입도가 1 마이크로미터 미만인 것을 특징으로 하는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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