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전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극;상기 제 1 전극에 형성된 재결합 방지층;상기 재결합 방지층에 형성된 광활성층;상기 광활성층에 형성된 정공 전달층; 및,상기 정공 전달층에 형성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 광활성층은, 하기 화학식 1로서 표시되는 제 1 페로브스카이트의 층 및 상기 제 1 페로브스카이트의 층에 형성된 하기 화학식 2로서 표시되는 제 2 페로브스카이트의 층을 포함하는 페로브스카이트 이중층을 포함하는 것이고,상기 재결합 방지층에 상기 제 1 페로브스카이트의 층을 형성한 후 상기 제 1 페로브스카이트의 층 상부에 제 2 페로브스카이트 제조용 전구체 R’X’-함유 용액을 코팅함으로써 상기 제 1 페로브스카이트의 층 상부에 상기 제 2 페로브스카이트의 층이 형성되는 것인, 페로브스카이트 태양전지:[화학식 1]RMX3상기 화학식 1 중,R은 CnH2n+1NH3+(n은 1 내지 9의 정수임), NH4+, HC(NH2)2+, CS+, NF4+, NCl4+, PF4+, PCl4+, CH3PH3+, CH3ASH3+, CH3SbH3+, PH4+, ASH4+, SbH4+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 1가의 양이온을 포함하고,M은 Pb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 2가의 금속 양이온이고,X는 할로겐 음이온임;[화학식 2]R’M’X’3상기 화학식 2 중, R’는 CnH2n+1NH3+(n은 1 내지 9의 정수임), NH4+, HC(NH2)2+, CS+, NF4+, NCl4+, PF4+, PCl4+, CH3PH3+, CH3ASH3+, CH3SbH3+, PH4+, ASH4+, SbH4+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 1가의 양이온을 포함하고,M’은 Pb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 2가의 금속 양이온이고, X’는 할로겐 음이온이며, 단, 상기 화학식 1과 화학식 2에 포함된 양이온인 R과 R’는 서로 상이한 것임
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 이중층은, 상기 재결합 방지층에 상기 제 1 페로브스카이트의 층을 형성한 후 상기 제 1 페로브스카이트의 층 상부에 제 2 페로브스카이트 제조용 전구체 R’X’-함유 용액을 코팅함으로써 상기 제 1 페로브스카이트에 포함된 양이온 R이 상기 제 2 페로브스카이트 제조용 전구체에 포함된 양이온 R’에 의하여 치환됨으로써 상기 제 1 페로브스카이트의 층 상부에 상기 제 2 페로브스카이트의 층이 형성되는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 페로브스카이트에 포함된 양이온 R은 포름아미디늄 이온을 포함하는 것이고, 상기 제 2 페로브스카이트에 포함된 양이온 R’는 메틸암모늄 양이온을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 페로브스카이트의 층의 두께는 300 nm 이하인, 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 광활성층은 반도체층을 추가 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제 5 항에 있어서,상기 반도체층은 20 nm 내지 500 nm의 기공을 포함하는 다공성 구조를 가지는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제 5 항에 있어서,상기 반도체층은 유기 반도체, 무기 반도체, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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8
제 5 항에 있어서,상기 반도체층은 1 ㎛ 이하의 두께를 가지는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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9
제 1 항에 있어서,상기 정공 전달층은 단분자 정공 전달 물질 또는 고분자 정공 전달 물질을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극에 재결합 방지층을 형성하는 것;상기 재결합 방지층에 광활성층을 형성하는 것;상기 광활성층에 정공 전달층을 형성하는 것; 및,상기 정공 전달층에 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하며,상기 광활성층을 형성하는 것은, 상기 재결합 방지층에 하기 화학식 1로서 표시되는 제 1 페로브스카이트-함유 용액을 코팅하여 제 1 페로브스카이트의 층을 형성하고, 상기 제 1 페로브스카이트의 층에 제 2 페로브스카이트 제조용 전구체 R’X’ 함유 용액을 코팅하여 하기 화학식 2로서 표시되는 제 2 페로브스카이트의 층을 포함하는 페로브스카이트 이중층을 형성하는 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법:[화학식 1]RMX3상기 화학식 1 중,R은 CnH2n+1NH3+(n은 1 내지 9의 정수임), NH4+, HC(NH2)2+, CS+, NF4+, NCl4+, PF4+, PCl4+, CH3PH3+, CH3ASH3+, CH3SbH3+, PH4+, ASH4+, SbH4+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 1가의 양이온을 포함하고,M은 Pb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하고,X는 할로겐임;[화학식 2]R’M’X’3상기 화학식 2 중, R’은 CnH2n+1NH3+(n은 1 내지 9의 정수임), NH4+, HC(NH2)2+, CS+, NF4+, NCl4+, PF4+, PCl4+, CH3PH3+, CH3ASH3+, CH3SbH3+, PH4+, ASH4+, SbH4+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 1가의 양이온을 포함하고, M’은 Pb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 2가의 금속 양이온이고, X’는 할로겐 음이온이며, 단, 상기 화학식 1과 화학식 2에 포함된 양이온인 R과 R’는 서로 상이한 것임
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제 10 항에 있어서,상기 페로브스카이트 이중층을 형성하는 것은, 상기 재결합 방지층에 상기 제 1 페로브스카이트-함유 용액을 코팅하여 제 1 페로브스카이트의 층을 형성한 후 상기 제 1 페로브스카이트의 층 상부에 제 2 페로브스카이트 제조용 전구체 R’X’-함유 용액을 코팅함으로써 상기 제 1 페로브스카이트에 포함된 양이온 R이 상기 제 2 페로브스카이트 제조용 전구체에 포함된 양이온 R’에 의하여 치환됨으로써 상기 제 1 페로브스카이트의 층 상부에 상기 제 2 페로브스카이트의 층을 형성하는 것을 포함하는 것인,페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 제 1 페로브스카이트에 포함된 양이온 R은 포름아미디늄 이온을 포함하는 것이고, 상기 제 2 페로브스카이트에 포함된 양이온 R’는 메틸암모늄 양이온을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 제 2 페로브스카이트의 층의 두께는 300 nm 이하인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 광활성층은 반도체층을 추가 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 반도체층은 20 nm 내지 500 nm의 기공을 포함하는 다공성 구조를 가지는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 반도체층은 유기 반도체, 무기 반도체, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 반도체층은 1 ㎛ 이하의 두께를 가지는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 광활성층을 형성하는 것은, 상기 제 1 페로브스카이트의 층 및 제 2 페로브스카이트의 층을 포함하는 페로브스카이트 이중층을 형성한 후, 상기 페로브스카이트 이중층을 포함하는 상기 광활성층을 100℃ 내지 170℃에서 어닐링하는 것을 추가 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 반도체층을 추가 포함하는 상기 광활성층을 100℃ 내지 170℃에서 어닐링하는 것을 포함하는 것을 추가 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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