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실리콘(Si) 기판 상에 AlN 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 AlN 버퍼층 상에 n형 질화물층, 활성층, 및 p형 질화물층이 순차적으로 적층된 질화물계 발광구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것으로,상기 AlN 버퍼층은, 암모니아(NH3)가스 및 트리메틸 알루미늄(TMAl) 가스를 이용하여 형성하는 것이며, 상기 암모니아(NH3)가스는 펄스(pulse)방식 이후에 연속방식으로 공급하는 것을 특징으로 하는 실리콘(Si) 기판을 이용한 발광다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 AlN 버퍼층을 형성하는 단계는,상기 트리메틸 알루미늄 가스를 지속적으로 공급하는 분위기하에서,암모니아 가스를 펄스방식으로 공급하여 AlN 결정핵 그룹을 형성하는 단계;상기 암모니아 가스를 펄스방식으로 공급하여 상기 AlN 결정핵 그룹을 측면방향으로 증대시켜 AlN 결정핵 그룹층을 형성하는 단계; 및상기 암모니아 가스를 연속방식으로 공급하여 상기 AlN 결정핵 그룹층을 상면방향으로 증대시켜 AlN 세로성장층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘(Si) 기판을 이용한 발광다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 암모니아 가스의 펄스방식은,0
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제3항에 있어서,상기 암모니아 가스의 펄스방식은,2초의 암모니아 가스 주입시기 및 7초의 암모니아 가스 미주입시기로 이루어진 주입주기에 따라 공급되는 것을 특징으로 하는 실리콘(Si) 기판을 이용한 발광다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 AlN 버퍼층을 형성하는 단계는,800℃ 내지 1100℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘(Si) 기판을 이용한 발광다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 AlN 버퍼층을 형성하는 단계는,상기 트리메틸 알루미늄(TMAl) 가스의 유량은,상기 암모니아(NH3)가스의 유량은 30sccm 내지 80sccm인 것을 특징으로 하는 실리콘(Si) 기판을 이용한 발광다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 AlN 버퍼층을 형성하는 단계는,상기 AlN 버퍼층의 두께가 1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 실리콘(Si) 기판을 이용한 발광다이오드의 제조방법
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