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경사 이온 주입을 이용한 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 및 그의 제조 방법(SiC Schottky barrier diode using tilt ion implantation and method for manufacturing thereof)

  • 기술번호 : KST2015225550
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드의 제조 방법은, N형 SiC 기판 위에 N형 에피층(epilayer)을 성장시킨 후 식각(etching)함으로써 트렌치(trench) 구조를 형성하고, 트렌치 구조의 일측 벽면에 N+ 도핑층을 형성하고 트렌치 구조 내의 나머지 부분을 부도체로 절연하며, N형 에피층 및 트렌치 구조를 통해 노출된 부도체의 상단 영역에 금속 박막을 이용한 전계판(field plate)을 증착한다.
Int. CL H01L 29/872 (2006.01) H01L 21/265 (2006.01)
CPC H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01)
출원번호/일자 1020140049999 (2014.04.25)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1590477-0000 (2016.01.26)
공개번호/일자 10-2015-0123526 (2015.11.04) 문서열기
공고번호/일자 (20160201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.25)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광수 대한민국 대전광역시 유성구
2 송길용 대한민국 충청남도 천안시 동남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0397598-55
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0088919-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0421309-78
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0811101-24
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0925415-40
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-1029023-18
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-1138045-35
9 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2015.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0179831-70
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1258323-15
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-1258307-84
12 등록결정서
Decision to grant
2016.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0056727-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
청구항 정보가 없습니다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서강대학교 산학협력단 정보통신기술인력양성사업 정보통신용 아날로그 IP 기술 개발