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입·출력단자(Port 1)(Port 2) 사이에 다단으로 연결 설치되는 J-인버터 전송선로[(J12)…(JN-1,N), N은 2 이상의 양의 정수]들, 상기 입력단자(Port 1)와 처음 단 J-인버터 전송선로(J12) 사이와 상기 각 단 J-인버터 전송선로[(J12)…(JN-1N)]들 사이 및 종단 J-인버터 전송선로(JN-1,N)와 출력단자(Port 2) 사이에 각각 병렬 연결되는 단락 J-인버터 전송선로[(J1)…(JN), N은 양의 정수]들, 상기 각 단락 J-인버터 전송선로[(J1)…(JN)]들에 연결되는 병렬 RLC 공진기 전송선로[(LC1)…(LCN), N은 양의 정수]들을 포함하며 음의 군지연(NGD) 시간을 갖는 분산 전송 선로를 이용하여, 전달 신호 위상 특성이 양의 기울기를 갖는 음의 군지연 회로(NGDC)를 구성함을 특징으로 하는 음의 군지연 여파기(NGDF)
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제1 항에 있어서, 상기 음의 군지연 회로(NGDC) 입·출력단에 입·출력 임피던스 정합을 위한 입·출력 임피던스 변환 전송선로(ML1)(ML1')를 각각 삽입 연결하여 동작 주파수에서의 반사 손실특성이 우수한 입·출력 임피던스 정합 특성을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 음의 군지연 여파기(NGDF)
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제1 항에 있어서, 입·출력단자(Port 1)(Port 2) 사이에 서로 다른 중심주파수(f1)(f2)를 가지는 제1 정합 음의 군지연 회로(NGDC1)와 제2 정합 음의 군지연 회로(NGDC2)를 서로 직렬 연결하여 음의 군지연(NGD) 대역폭이 확장된 분산 전송 선로를 이용한 광대역 정합 음의 군지연 회로(NGDC)를 구성함을 특징으로 하는 음의 군지연 여파기(NGDF)
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제4 항에 있어서, 상기 음의 군지연 회로(NGDC) 입·출력단에 입·출력 임피던스 정합을 위한 서로 다른 구성의 입·출력 임피던스 변환 전송선로(ML1)(ML1')를 각각 삽입 연결하여 광대역 정합 특성을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 음의 군지연 여파기(NGDF)
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제4 항에 있어서, 광대역 정합 음의 군지연 회로(NGDC)를 구성하는, 제1 정합 음의 군지연 회로(NGDC1)의 구성이, J-인버터 전송선로(J12)와 상기 J-인버터 전송선로(J12)의 양 단에 각각 병렬 연결되는 단락 J-인버터 전송선로(J1)(J2)와 상기 각 단락 J-인버터 전송선로(J1)(J2)에 연결되는 병렬 RLC 공진기 전송선로(LC1)(LC2)로 구성되고,제2 정합 음의 군지연 회로(NGDC2)의 구성이, J-인버터 전송선로(J12')와 상기 J-인버터 전송선로(J12')의 양 단에 각각 병렬 연결되는 단락 J-인버터 전송선로(J1')(J2')와 상기 각 단락 J-인버터 전송선로(J1')(J2')에 연결되는 병렬 RLC 공진기 전송선로(LC1')(LC2')로 구성되는 것을 특징으로 하는 음의 군지연 여파기(NGDF)
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제1 항에 있어서, 음의 군지연 회로(NGDC)를 구성하는 상기 J-인버터 전송선로[(J12)…(JN-1,N), N은 2 이상의 양의 정수]들은 λ/4 전송선로이고 특성 임피던스[(Z12)…(ZN-1,N), N은 2 이상의 양의 정수]를 가지며, 상기 단락 J-인버터 전송선로[(J1)…(JN), N은 양의 정수]들은 λ/4 전송선로이고 특성 임피던스[(ZJ1)…(ZJN), N은 양의 정수]를 가지고, 상기 병렬 RLC 공진기 전송선로[(LC1)…(LCN), N은 양의 정수]들은 λ/4 전송선로이고 특성 임피던스[(Z1)…(ZN), N은 양의 정수]를 갖는 것을 특징으로 하는 음의 군지연 여파기(NGDF)
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제3 항에 있어서, 상기 음의 군지연 회로(NGDC) 입·출력단에 각각 삽입 연결되는 입·출력 임피던스 변환 전송선로(LC1)(LC2)는 λ/4 전송선로이고 특성 임피던스(ZT)를 갖는 동일한 구조의 입·출력 정합 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 음의 군지연 여파기(NGDF)
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제4 항에 있어서, 중심 주파수(f1)(f2)가 서로 약간 다른 2개의 제1 정합 음의 군지연 회로(NGDC1)와 제2 정합 음의 군지연 회로(NGDC2)를 직렬 연결하여 광대역 음의 군지연 회로(NGDC)를 구성함을 특징으로 하는 음의 군지연 여파기(NGDF)
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제5 항에 있어서, 상기 음의 군지연 회로(NGDC) 입·출력단에 각각 삽입 연결되는 입·출력 임피던스 변환 전송선로(ML1)(ML1')는 λ/4 전송선로이고 특성 임피던스(ZT)를 갖는 서로 다른 구성의 입·출력 정합 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 음의 군지연 여파기(NGDF)
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제6 항에 있어서, 상기 제1 정합 음의 군지연 회로(NGDC1)를 구성하는 J-인버터 전송선로(J1)의 입력단에 입력 임피던스의 유도 리액턴스(inductive reactance)를 보상(상쇄)하기 위한 전송선로(ML2)를 단락 J-인버터 전송선로(J1)에 접속되도록 삽입 연결함과 동시에, 상기 제2 정합 음의 군지연 회로(NGDC2)를 구성하는 J-인버터 전송선로(J1')의 출력단에 출력 임피던스의 용량 리액턴스(capacitive reactance)를 보상(상쇄)하기 위한 전송선로(ML2')를 단락 J-인버터 전송선로(J2')에 접속되도록 삽입 연결함을 특징으로 하는 음의 군지연 여파기(NGDF)
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제11 항에 있어서, 입력 임피던스의 유도 리액턴스를 보상하기 위한 전송선로(ML2)는 개방(open)된 전송선로이고, 출력 임피던스의 용량 리액턴스를 보상하기 위한 전송선로(ML2')는 단락(short)된 전송선로로 구성함을 특징으로 하는 음의 군지연 여파기(NGDF)
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제1 항 및 제3 항, 제4 항 내지 제12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 음의 군지연 회로(NGDC)를 구성하는 분산 전송 선로는 박막도체를 사용하거나 반도체를 유전체로 이용하는 프린트 배선 기술로 만들어지는 전송선로, 가늘고 긴 평평한 도체와 폭이 넓은 도체를 유전체로 고정시킨 스트립 전송선로, 마이크로파 회로를 위한 마이크로스트립 선로 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 음의 군지연 여파기(NGDF)
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제9 항에 있어서, 제1 정합 음의 군지연 회로(NGDC1)와 제2 정합 음의 군지연 회로(NGDC2)의 중심 주파수(f1 = 1
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제9 항에 있어서, 제1 정합 음의 군지연 회로(NGDC1)와 제2 정합 음의 군지연 회로(NGDC2)가 2 이상의 주파수 단수(N)를 가지는 음의 군지연 회로(NGDC)인 것을 특징으로 하는 음의 군지연 여파기(NGDF)
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