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자외선 발광소자를 제조하는 방법으로서,(a) 기판상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체층을 형성하는 단계; 및(b) 상기 제2 도전형 반도체층의 상부에 금속 산화물 반도체층, 갈륨 옥사이드(Ga2O3)층 및 상기 금속 산화물 반도체층을 순차적으로 적층하여 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b)단계 이후,(c) 상기 금속 산화물 반도체층의 상부에 다시 갈륨 옥사이드(Ga2O3)층 및 금속 산화물 반도체층을 순차적으로 적층하고 이러한 적층 순서를 다수회 반복하여 실시하는 단계를 더 포함하며,상기 적층이 완료된 후에는 상기 금속 산화물 반도체층이 최상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자 제조방법
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제2항에 있어서,상기 투명 전극은, 상기 갈륨 옥사이드(Ga2O3)층을 최대 10개 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자 제조방법
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제2항에 있어서,상기 투명 전극은, 상기 갈륨 옥사이드(Ga2O3)층의 배치 개수와 무관하게 전체 두께가 동일하게 마련되는 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자 제조방법
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제2항에 있어서,상기 갈륨 옥사이드(Ga2O3)층의 두께에 대한 상기 금속 산화물 반도체층의 두께의 비율은 1 내지 100인 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자 제조방법
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제2항에 있어서,상기 투명 전극의 두께는 10 ~ 1000nm인 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자 제조방법
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제2항에 있어서,(d) 상기 (c)단계 후, 상기 반도체층과 상기 투명 전극으로 이루어지는 발광소자층을 20도 ~ 800도의 온도 범위 내에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 투명 전극은, RF 스퍼터링, 이빔(e-beam) 증착, 화학기상증착(CVD), 스핀 코팅(spin-coating), 졸-겔(sol-gel)법 중 어느 하나의 방법을 통해 상기 제2 도전형 반도체층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 반도체층은, Zn, Ti, In, Ga, Sn 중 어느 하나의 원소로 이루어지는 산화물 반도체층 또는 상기 금속 원소가 적어도 2개 이상이 복합되어 이루어지는 산화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자 제조방법
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자외선을 발광하는 자외선 발광소자로서,기판상에 차례대로 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층; 및상기 제2 도전형 반도체층의 상부에 금속 산화물 반도체층, 갈륨 옥사이드(Ga2O3)층 및 상기 금속 산화물 반도체층이 순차적으로 적층되어 이루어지는 투명 전극을 포함하는 것을 특징으로 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자
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제10항에 있어서,상기 투명 전극은, 상기 적층 방향을 따라 서로 이격되게 배치되는 복수의 금속 산화물 반도체층과, 서로 이웃하는 복수의 금속 산화물 반도체층의 사이에 각각 마련되는 복수의 갈륨 옥사이드(Ga2O3)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자
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제11항에 있어서,상기 투명 전극은, 상기 갈륨 옥사이드(Ga2O3)층을 최대 10개 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자
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제11항에 있어서,상기 투명 전극은, 상기 갈륨 옥사이드(Ga2O3)층의 배치 개수와 무관하게 전체 두께가 동일하게 마련되는 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자
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제11항에 있어서,상기 갈륨 옥사이드(Ga2O3)층의 두께에 대한 상기 금속 산화물 반도체층의 두께의 비율은 1 내지 100인 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자
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제11항에 있어서,상기 투명 전극의 두께는 10 ~ 1000nm인 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자
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제11항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 형성된 상기 기판과 상기 투명 전극으로 이루어지는 발광소자층을 20도 ~ 800도의 온도 범위 내에서 열처리하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자
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제10항에 있어서,상기 투명 전극은, RF 스퍼터링, 이빔(e-beam) 증착, 화학기상증착(CVD), 스핀 코팅(spin-coating), 졸-겔(sol-gel)법 중 어느 하나의 방법을 통해 상기 제2 도전형 반도체층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자
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제10항에 있어서,상기 금속 산화물 반도체층은, Zn, Ti, In, Ga, Sn 중 어느 하나의 원소로 이루어지는 산화물 반도체층 또는 상기 금속 원소가 적어도 2개 이상이 복합되어 이루어지는 산화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 다중 적층 구조의 투명 전극을 갖는 자외선 발광소자
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