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제1 면 및 그 반대면인 제2 면을 갖는 기판을 준비하는 것;상기 기판의 상기 제1 면의 일측 상에 박막 트랜지스터층을 형성하는 것;상기 기판의 상기 제1 면의 타측 상에 진폭형 공간 광 변조기를 형성하는 것;상기 기판의 상기 제2 면을 에칭하여, 상기 기판이 100 나노미터(nm) 이하의 두께를 갖도록 상기 기판을 박형화하는 것; 및상기 기판의 상기 제 2 면 상에 위상형 공간 광 변조기를 형성하는 것을 포함하되,상기 진폭형 공간 광 변조기와 상기 위상형 공간 광 변조기는 상기 기판을 사이에 두고 서로의 반대편에 형성되며,상기 기판이 100 나노미터(nm) 이하의 두께를 가짐으로써, 상기 박막 트랜지스터층은 상기 위상형 공간 광 변조기가 작동되도록 상기 기판을 통해 상기 위상형 공간 광 변조기에 데이터 전압을 인가하는 복소 공간 광 변조기의 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 진폭형 공간 광 변조기는 상기 기판의 상기 제1 면 상에서 상기 박막 트랜지스터층의 측면에 배치되는 복소 공간 광 변조기의 제조 방법
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제 15항에 있어서,상기 진폭형 공간 광 변조기는:상기 기판의 상기 제1 면의 상기 타측 상에 배치된 전기변색 애노드;상기 전기변색 애노드로부터 상기 기판의 상기 제1 면에 수직한 방향으로 이격된 전기변색 캐쏘드; 및상기 전기변색 애노드와 상기 전기변색 캐쏘드 사이에 개재된 전기변색 소자를 포함하는 복소 공간 광 변조기의 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 전기변색 소자는 산화텅스텐(WO3), 니켈하이드로옥사이드(NiOxHy), 산화니오브(Nb2O5), 오산화바나듐(V2O5), 이산화티타늄(TiO2), 삼산화몰리브덴(MoO3), 바이올로젠(viologen), 폴리아닐린(polyaniline), 및 폴리티오펜(polythiophene) 중 어느 하나를 포함하는 복소 공간 광 변조기의 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 위상형 공간 광 변조기 상에 제1 편광기를 형성하는 것을 더 포함하는 복소 공간 광 변조기의 제조방법
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제 19 항에 있어서,상기 진폭형 공간 광 변조기는:상기 기판의 상기 제1 면의 상기 타측 상에 배치된 액정 애노드;상기 액정 애노드로부터 상기 기판의 상기 제1 면에 수직한 방향으로 이격된 액정 캐쏘드; 및상기 액정 애노드와 상기 액정 캐쏘드 사이에 개재된 트위스트 네마틱 액정을 포함하는 복소 공간 광 변조기의 제조방법
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제 20 항에 있어서,상기 액정 캐쏘드 상에 제2 편광기를 형성하는 것을 더 포함하는 복소 공간 광 변조기의 제조방법
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제 21 항에 있어서,상기 제2 편광기의 편광 방향은 상기 제1 편광기의 편광 방향과 직교하는 복소 공간 광 변조기의 제조 방법
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