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고전압 스위칭 회로 및 초음파 프로브(VOLTAGE SWITCHING CIRCUIT AND ULTRASOUND PROBE)

기술번호 : KST2015225909
담당센터 : 인천기술혁신센터
전화번호 : 032-420-3580

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	고전압 스위칭 회로는 하나 이상의 전류원과 연결된 하나 이상의 메인 스위칭 소자와, 하나 이상의 전류원으로부터 전류를 공급받아 각 메인 스위칭 소자의 단자 전위차를 미리 정해진 범위 이내로 제어하는 제어 회로부를 포함한다.
Int. CL	H03K 17/08 (2006.01.01) G01N 29/24 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자	1020140059862 (2014.05.19)
출원인	삼성전자주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2015-0133039 (2015.11.27) 문서열기
공고번호/일자	문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2018.05.10)
심사청구항수	17

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사	대한민국	경기도 수원시 영통구
2	한양대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성동구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	송종근	대한민국	경기도 용인시 기흥구
2	전태호	대한민국	서울특별시 강동구
3	권오경	대한민국	서울시 성동구
4	정성진	대한민국	서울시 성동구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인세림	대한민국	서울특별시 서초구 강남대로 *, 층, **층(서초동, 태우빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사		경기도 수원시 영통구
2	한양대학교 산학협력단		서울특별시 성동구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2014.05.19	수리 (Accepted)	1-1-2014-0468645-57
2	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2014.05.21	수리 (Accepted)	1-1-2014-0475341-47
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2018.05.10	수리 (Accepted)	1-1-2018-0458323-20
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2019.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0146236-53
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2019.04.23	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2019-0418478-06
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2019.04.23	수리 (Accepted)	1-1-2019-0418477-50
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09
11	등록결정서 Decision to grant	2019.08.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0605746-15

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 하나 이상의 전류원과 연결된 하나 이상의 메인 스위칭 소자; 및상기 하나 이상의 전류원으로부터 전류를 공급받아 각 메인 스위칭 소자의 단자 전위차를 미리 정해진 범위 이내로 제어하는 제어 회로부를 포함하는 고전압 스위칭 회로
2	2 제 1 항에 있어서,상기 제어 회로부는 두 개의 저전압 스위칭 소자 및 한 개의 고전압 스위칭 소자를 포함하는 고전압 스위칭 회로
3	3 제 1 항에 있어서,제 1 메인 스위칭 소자는 제 1 전류원, 및 상기 고전압 스위칭 회로의 제 1 입출력 단자에 연결되고, 제 2 메인 스위칭 소자는 제 1 전류원, 및 상기 고전압 스위칭 회로의 제 2 입출력 단자에 연결되는 고전압 스위칭 회로
4	4 제 2 항에 있어서,제 1 저전압 스위칭 소자는 제 1 전류원에 의해 제어되고, 제 2 저전압 스위칭 소자는 제 2 전류원에 의해 제어되는 고전압 스위칭 회로
5	5 제 2 항에 있어서,제 1 저전압 스위칭 소자는 PMOS 트랜지스터이고,제 2 저전압 스위칭 소자, 고전압 스위칭 소자, 상기 제 1 메인 스위칭 소자, 및 상기 제 2 메인 스위칭 소자는 NMOS 트랜지스터인 고전압 스위칭 회로
6	6 제 1 항에 있어서,상기 단자 전위차는 상기 메인 스위칭 소자의 게이트 단자 및 소스 단자 사이의 전위차이고, 제 1 전류원은 상기 메인 스위칭 소자의 게이트 단자를 충전 또는 방전 시키고, 상기 제어 회로부를 제어하고, 제 2 전류원은 상기 제어 회로부를 제어하는 고전압 스위칭 회로
7	7 제 1 항에 있어서,상기 하나 이상의 전류원을 제어하는 제어 신호 발생 회로부를 더 포함하는 고전압 스위칭 회로
8	8 제 7 항에 있어서,상기 제어 신호 발생 회로부는 하나 이상의 레벨 시프터를 포함하는 고전압 스위칭 회로
9	9 제 8 항에 있어서,각 레벨 시프터는 하나 이상의 고전압 스위칭 소자 및 인버터를 포함하는 고전압 스위칭 회로
10	10 트랜스듀서; 및기준 전위보다 큰 신호를 차단하여 상기 트랜스듀서로 공급되는 신호를 제어하는 고전압 스위칭 회로를 포함하되,상기 고전압 스위칭 회로는 하나 이상의 전류원과 연결된 하나 이상의 메인 스위칭 소자, 및 상기 하나 이상의 전류원으로부터 전류를 공급받아 각 메인 스위칭 소자의 단자 전위차를 소정의 범위 이내로 제어하는 제어 회로부를 포함하되,상기 제어 회로부는 제1 전압 스위칭 소자, 제2 전압 스위칭 소자 및 제3 전압 스위칭 소자를 포함하고,상기 제1 전압 스위칭 소자 및 상기 제2 전압 스위칭 소자는 제1 전압 범위 내에서 동작하고,상기 제3 전압 스위칭 소자는 상기 제1 전압 범위보다 높은 제2 전압 범위 내에서 동작하는 초음파 프로브
11	11 삭제
12	12 제 10 항에 있어서,제 1 메인 스위칭 소자는 제 1 전류원, 및 상기 고전압 스위칭 회로의 제 1 입출력 단자에 연결되고, 제 2 메인 스위칭 소자는 제 1 전류원, 및 상기 고전압 스위칭 회로의 제 2 입출력 단자에 연결되는 초음파 프로브
13	13 제 10 항에 있어서,제 1 저전압 스위칭 소자는 제 1 전류원에 의해 제어되고, 제 2 저전압 스위칭 소자는 제 2 전류원에 의해 제어되는 초음파 프로브
14	14 제 13 항에 있어서,상기 제 1 저전압 스위칭 소자는 PMOS 트랜지스터이고,상기 제 2 저전압 스위칭 소자, 고전압 스위칭 소자, 상기 제 1 메인 스위칭 소자, 및 상기 제 2 메인 스위칭 소자는 NMOS 트랜지스터인 초음파 프로브
15	15 제 10 항에 있어서,상기 단자 전위차는 상기 메인 스위칭 소자의 게이트 단자 및 소스 단자 사이의 전위차이고, 제 1 전류원은 상기 메인 스위칭 소자의 게이트 단자를 충전 또는 방전 시키고, 상기 제어 회로부를 제어하고, 제 2 전류원은 상기 제어 회로부를 제어하는 초음파 프로브
16	16 제 10 항에 있어서,상기 고전압 스위칭 회로는 상기 하나 이상의 전류원을 제어하는 제어 신호 발생 회로부를 더 포함하는 초음파 프로브
17	17 제 16 항에 있어서,상기 제어 신호 발생 회로부는 하나 이상의 레벨 시프터를 포함하는 초음파 프로브
18	18 제 17 항에 있어서,각 레벨 시프터는 하나 이상의 고전압 스위칭 소자 및 인버터를 포함하는 초음파 프로브

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US10213188	US	미국	FAMILY
2	US20150333627	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US10213188	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US2015333627	US	미국	DOCDBFAMILY

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2014.05.19	수리 (Accepted)	1-1-2014-0468645-57
2	[출원서등 보정]보정서	2014.05.21	수리 (Accepted)	1-1-2014-0475341-47
3	출원인정보변경(경정)신고서	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
4	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2018.05.10	수리 (Accepted)	1-1-2018-0458323-20
6	의견제출통지서	2019.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0146236-53
7	[명세서등 보정]보정서	2019.04.23	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2019-0418478-06
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2019.04.23	수리 (Accepted)	1-1-2019-0418477-50
9	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
10	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09
11	등록결정서	2019.08.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0605746-15

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