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유체를 토출하는 노즐; 및상기 노즐에 전압을 인가하여 상기 유체를 토출시키는 전압 인가부;를 포함하고상기 노즐은, 상기 노즐의 일단에, 상기 노즐에 인가된 전압에 의하여 상기 유체가 토출되는 사선부를 포함하고, 상기 사선부의 단부면 및 내벽면 중 적어도 일면은 친수성을 가지는 나노/마이크로 구조체 제조 장치
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제1 항에 있어서,상기 사선부는 상기 사선부의 단부면 중, 사선의 하단부에 친수성이 형성된나노/마이크로 구조체 제조 장치
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제1 항에 있어서,상기 사선부는 상기 사선부의 내벽면 중, 사선의 하단부에 친수성이 형성된나노/마이크로 구조체 제조 장치
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제1 항에 있어서,상기 사선부는 상기 노즐의 길이 방향과 같은 방향으로 연장하는 제1 측과 제2 측을 포함하고,상기 제1 측과 상기 제2 측은 상기 길이 방향으로 길이가 상이한나노/마이크로 구조체 제조 장치
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제1 항에 있어서,상기 사선부는 상기 노즐의 길이 방향에 대하여 19도의 경사각을 가지는나노/마이크로 구조체 제조 장치
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제1 항에 있어서,상기 사선부를 통하여 토출된 유체는, 0
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제1 항에 있어서,상기 사선부를 통하여 토출된 유체는, 상기 노즐의 내경 대비, 0
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제1 항에 있어서,상기 사선부는, UV/O3, 플라즈마, 레이저, 스핀 코팅 및 SAM (Self Aligned Monolayer) 중 적어도 하나의 방법을 통하여 친수성을 가지는나노/마이크로 구조체 제조 장치
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9
제1 항에 있어서,상기 사선부의 외벽면은 소수성을 가지는나노/마이크로 구조체 제조 장치
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제9 항에 있어서,상기 사선부의 외벽면에 소수성이 형성된 후 상기 사선부의 내벽면에 친수성이 형성된나노/마이크로 구조체 제조 장치
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제1 항에 있어서, 상기 사선부는 상기 사선부의 외벽면 중, 사선의 하단부에 소수성을 가지는나노/마이크로 구조체 제조 장치
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제1 항에 있어서,상기 사선부의 외벽면은, UV/O3, 플라즈마, 레이저, 스핀 코팅 및 SAM (Self Aligned Monolayer) 중 적어도 하나의 방법을 통하여 소수성을 가지는나노/마이크로 구조체 제조 장치
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제1 항에 있어서,상기 유체가 토출되는 방향에 이격하여 위치하는 스테이지를 더 포함하고, 상기 노즐에 인가된 전압과 상기 스테이지에 인가된 전압의 차에 의하여 상기 유체가 토출되는나노/마이크로 구조체 제조 장치
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전압 차에 의하여 유체를 토출하는 나노/마이크로 구조체 제조 장치의 제조 방법에 있어서,사선부를 포함하는 노즐을 준비하는 단계;상기 사선부의 외벽면을 소수성 처리하는 단계; 및상기 소수성 처리 단계 이후, 상기 사선부의 단부면 및 내벽면 중 적어도 일면을 친수성 처리하는 단계를 포함하는 나노/마이크로 구조체 제조 장치의 제조 방법
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제14 항에 있어서, 상기 친수성 처리 단계는, 상기 사선부의 단부면 중, 사선의 하단부에 친수성을 형성하는 단계인나노/마이크로 구조체 제조 장치의 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 소수성 처리 단계는, 상기 사선부의 외벽면 중, 사선의 하던부에 소수성을 형성하는 단계인나노/마이크로 구조체 제조 장치의 제조 방법
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