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코어-쉘 구조를 갖는 입체물 형성용 복합 입자로서,상기 코어가 10미크론 이하의 크기를 갖는 입자상 고분자 물질을 포함하고,상기 쉘이 1미크론 이하의 크기를 갖는 복수개의 금속 입자를 포함하는 입체물 형성용 복합입자
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제1항에 있어서,상기 금속 입자의 표면에 수산기(-OH)가 존재하는 것을 특징으로 하는 복합입자
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제1항에 있어서,상기 금속 입자의 등전점보다 높은 pH값에서 상기 금속 입자의 표면전하가 음의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 복합입자
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제1항에 있어서, 상기 금속 입자의 등전점보다 낮은 pH값에서 상기 금속 입자의 표면전하가 양의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 복합입자
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제1항에 있어서,상기 금속 입자가 텅스텐 산화물, 안티몬 산화물, 바나듐 산화물, 실리콘 이산화물, 실리콘 카바이드, 탄탈륨 산화물, 틴 산화물, 지르코늄 산화물, 망간 산화물, 인듐 틴 산화물, 티타늄 산화물, 실리콘 질화물, 아이언 (II, III) 산화물, 감마 아이언 산화물, 세륨 산화물, 크롬 산화물, 감마 알루미늄 산화물, 탈륨 산화물, 알파 아이언 산화물, 알파 알루미늄, 실리콘 질화물, 이트륨 산화물, 구리 산화물, 아연 산화물, 란탄 산화물, 니켈 산화물, 납 산화물, 마그네슘 산화물, 몰리브덴 산화물, 백금 산화물, 텔루륨 산화물, 사마륨 산화물, 및 크롬 산화물 중 1종 이상인 것을 특징으로 하는 복합입자
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제1항에 있어서,상기 금속입자의 직경이 5nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 복합입자
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제1항에 있어서,상기 고분자 입자가 음이온성, 양이온성 또는 양쪽성 고분자 입자인 것을 특징으로 하는 복합입자
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제1항에 있어서,상기 고분자 입자가 에멀젼 중합 공정에 의해 얻어진 것을 특징으로 하는 복합입자
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제1항에 있어서,상기 고분자 입자가 기능성 단량체를 중합하여 얻어진 것을 특징으로 하는 복합입자
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제9항에 있어서,상기 기능성 단량체가 메틸 (메타)크릴레이트, 부틸 아크릴레이트, 아크릴산, 2-에틸 아미노에틸 (메타)아크릴레이트, 아크릴산 등을 1종 이상인 것을 특징으로 하는 복합입자
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제1항에 있어서,상기 고분자 입자가 이온성 개시제에 의해 중합된 것을 특징으로 하는 복합입자
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제11항에 있어서,상기 이온성 개시제가 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온 아미딘) 디하이드로클로라이드인 것을 특징으로 하는 복합입자
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제1항에 있어서,상기 고분자 입자의 직경이 50nm 내지 800nm인 것을 특징으로 하는 복합입자
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제1항에 있어서,상기 고분자 입자가 상이한 직경을 갖는 고분자 입자의 혼합물인 것을 특징으로 하는 복합입자
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제1항에 있어서,상기 금속 입자 및 상기 고분자 입자가 소정 pH 범위에서 서로 상이한 극성의 표면전하를 갖는 것을 특징으로 하는 복합입자
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10미크론 이하의 크기를 갖는 입자상 고분자 물질을 수계 용매에 분산시킨 제1 분산액을 형성하는 단계;1미크론 이하의 크기를 갖는 금속 입자를 수계 용매에 분산시킨 제2 분산액을 형성하는 단계;상기 입자상 고분자 물질 및 상기 금속 입자의 표면 전하가 동일한 극성이 되는 pH에서 상기 제1 분산액 및 제2 분산액을 혼합하는 단계; 및상기 고분자 물질 및 상기 금속 입자의 표면 전하가 상이한 극성이 되도록 pH를 조절하여 상기 입자상 고분자 물질의 표면에 상기 금속 입자를 결합시키는 단계;를 포함하는 제1항에 따른 입체물 형성용 복합입자의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 수계 용매가 물, 극성용매 또는 이들의 혼합용매인 것을 특징으로 하는 복합입자의 제조방법
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입자상 고분자 물질의 중합 단계에서 금속 입자를 첨가하여 복합입자를 형성하는 단계를 포함하는 제1항에 따른 입체물 형성용 복합입자의 제조방법
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제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 복합입자를 용매에 분산시켜 슬러리를 형성하는 단계;상기 슬러리를 기재 상에 레이어 형상으로 도포한 후 제1 열처리에 의해 용매를 제거하여 레이어 구조체를 형성하는 단계;레이져를 사용하여 상기 레이어 구조체를 소결하는 단계;상기 레이어 구조체 형성 단계 및 소결 단계를 반복하여 입체물을 형성하는 단계; 및상기 입체물을 제2 열처리하는 단계;를 포함하는 3차원 인쇄 방법
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