| 1 |
1
비금속 도핑 (doping) 된 산화물 박막 상에 나노촉매입자를 증착하여, 촉매의 활성을 증가시키는 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 비금속 도핑은 질소-도핑 또는 불소-도핑인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 박막은 CeO2, Nb2O5, TaO5, SiO2 또는 TiO2 박막인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서, 상기 산화물 박막은 TiO2 박막인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 나노촉매입자는 금 (Au), 은 (Ag), 백금 (Pt), 코발트 (Co), 니켈 (Ni), 팔라듐 (Pd) 또는 이리듐(Ir) 인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서, 상기 나노촉매입자는 백금 (Pt) 인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 박막은 솔-젤 (sol-gel) 법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서, 상기 나노촉매입자는 아크 플라즈마 증착법 (arc plasma deposition) 에 의해 산화물 박막에 증착되는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 박막은 250 내지 550 ℃ 의 온도에서 어닐링 (annealing) 되는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 10 |
10
제 2 항에 있어서, 상기 질소-도핑은, 1M 내지 10M 의 질소의 몰농도로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 11 |
11
제 2 항에 있어서, 상기 불소-도핑은, 5 % 내지 20 % 의 불소의 퍼센트 농도로 수행되며, 상기 퍼센트 농도는 사용된 TiO2 전구체의 몰질량에 대한 사용된 불소 전구체의 몰질량의 비인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서, 상기 촉매는 CO 산화반응에 사용되는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 13 |
13
비금속 도핑 (doping) 된 산화물 박막 상에 나노촉매입자를 증착한 촉매 시스템
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서, 상기 비금속 도핑은 질소-도핑 또는 불소-도핑인 것을 특징으로 하는 촉매 시스템
|
| 15 |
15
제 13 항에 있어서, 상기 산화물 박막은 TiO2 박막인 것을 특징으로 하는 촉매 시스템
|
| 16 |
16
제 13 항에 있어서, 상기 나노촉매입자는 백금 (Pt) 인 것을 특징으로 하는 촉매 시스템
|
| 17 |
17
제 13 항에 있어서, 상기 산화물 박막은 솔-젤 (sol-gel) 법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 촉매 시스템
|
| 18 |
18
제 13 항에 있어서, 상기 나노촉매입자는 아크 플라즈마 증착법 (arc plasma deposition) 에 의해 산화물 박막에 증착되는 것을 특징으로 하는 촉매 시스템
|
| 19 |
19
제 13 항에 있어서, 상기 질소-도핑은, 1M 내지 10M 의 질소의 몰농도로 수행되는 것을 특징으로 하는 촉매 시스템
|
| 20 |
20
제 13 항에 있어서, 상기 불소-도핑은, 5 % 내지 20 % 의 불소의 퍼센트 농도로 수행되며, 상기 퍼센트 농도는 사용된 TiO2 전구체의 몰질량에 대한 사용된 불소 전구체의 몰질량의 비인 것을 특징으로 하는 촉매 시스템
|
| 21 |
21
제 13 항에 있어서, 상기 촉매 시스템은 CO 산화반응에 사용되는 것을 특징으로 하는 촉매 시스템
|
