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금속 촉매 층이 형성된 기판 및 액상의 벤젠을 포함하는 카본 소스를 준비하는 단계; 상기 카본 소스에 캐리어 가스 및 희석 가스 중 1종 이상을 주입하여 상기 금속 촉매 층에 카본 소스를 공급하는 단계; 및상기 금속 촉매 층에 수소를 추가로 공급한 후 상압의 250~600℃에서 1차 열처리하여 그래핀을 1차 성장시키는 단계를 포함하는, 벤젠을 이용한 그래핀의 합성 방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 촉매 층에 카본 소스를 공급하는 단계 이전에 상기 금속 촉매 층이 형성된 기판을 300~1000℃에서 열처리하여 상기 금속 촉매 층을 세정하는 단계를 추가로 포함하는, 벤젠을 이용한 그래핀의 합성 방법
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제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 1차 열처리하여 그래핀을 1차 성장시키는 단계 이후에 상기 캐리어 가스의 유량을 증가 또는 감소시키면서 2차 열처리를 수행하여 그래핀을 2차 성장시키는 단계를 추가로 포함하는, 벤젠을 이용한 그래핀의 합성 방법
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제 4항에 있어서,상기 1차 열처리 및 상기 2차 열처리는 상압의 250~600℃에서 수행하는 것인, 벤젠을 이용한 그래핀의 합성 방법
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제 4항에 있어서,상기 1차 열처리 및 상기 2차 열처리 온도는 500℃ 이상 600℃ 미만이며, 상기 1차 성장시키는 단계 이후에 상기 캐리어 가스의 유량을 감소시키면서 그래핀을 2차 성장시키는 것인, 벤젠을 이용한 그래핀의 합성 방법
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제 4항에 있어서,상기 1차 열처리 및 상기 2차 열처리 온도는 250℃ 이상 500℃ 미만이며, 상기 1차 성장시키는 단계 이후에 상기 캐리어 가스의 유량을 증가시키면서 그래핀을 2차 성장시키는 것인, 벤젠을 이용한 그래핀의 합성 방법
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금속 촉매 층이 형성된 기판 및 액상의 벤젠을 포함하는 카본 소스를 준비하는 단계; 시스템 내부의 잔류 기체를 제거하는 단계;상기 카본 소스에 캐리어 가스 및 희석 가스 중 1종 이상을 주입하여 상기 금속 촉매 층에 카본 소스를 공급하는 단계; 및상기 금속 촉매 층에 수소를 추가로 공급한 후 상압의 50~300℃에서 1차 열처리하여 그래핀을 1차 성장시키는 단계를 포함하는, 벤젠을 이용한 그래핀의 합성 방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 촉매는 Cu, Ni, Co, Fe, Pt, Pd, Au, Al, Cr, Mn, Mo, Rh, Ir, Ta, Ti, W, U, V, Zr 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것인, 벤젠을 이용한 그래핀의 합성 방법
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제 1항에 있어서,상기 희석 가스는 아르곤을 포함하는 불활성 가스이며 상기 카본 소스의 농도를 조절하는 것인, 벤젠을 이용한 그래핀의 합성 방법
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제 1항에 있어서,상기 캐리어 가스는 아르곤을 포함하는 불활성 가스이며 상기 카본 소스를 운반하는 것인, 벤젠을 이용한 그래핀의 합성 방법
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