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기판 상에 n형 질화갈륨층, 및 활성층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 활성층 상에 복수개의 홀을 가진 p형 질화갈륨층을 형성하는 단계;상기 p형 질화갈륨층의 홀의 측면 및 하면에 절연영역층을 형성하는 단계; 및상기 절연영역층이 형성된 홀의 내부를 충진하는 금속층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 금속층은 금속 디스크층 및 자성층이 순차적으로 적층된 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 활성층 상에 복수개의 홀을 가진 p형 질화갈륨층을 형성하는 단계는,상기 활성층 상에 p형 질화갈륨층을 성장시키는 단계; 및상기 성장된 p형 질화갈륨층을 건식식각하여 복수개의 홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 활성층 상에 복수개의 홀을 가진 p형 질화갈륨층을 형성하는 단계는,상기 활성층 상에 p형 질화갈륨층을 형성하는 단계;상기 p형 질화갈륨층 상에 복수개의 홀을 형성하기 위한 마스크층을 형성하는 단계;상기 p형 질화갈륨층 상에 상기 마스크층이 형성되지 않은 영역을 통해 상기 p형 질화갈륨층을 선택적으로 재성장시키는 단계; 및상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 절연영역층은 SiO2, Si3N4, TiO2, 및 Al2O3 로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 절연영역층은 10nm 내지 20nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 디스크층은,금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 또는 이들의 조합 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 자성층은,철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 크롬(Cr), 및 바나듐(V)족 원소 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 자성물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 자성층은 패턴화된 구조로 형성되며,상기 패턴화된 구조의 자성층은 하나 이상의 자성물질을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광다이오드의 제조방법
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