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서로 접촉하여 3 차원 도전 경로를 형성하는 복수의 금속 섬유들을 포함하는 도전성 네트워크;상기 도전성 네트워크 내에 결합되는 활물질; 및상기 도전성 네트워크와 활물질 사이 또는 상기 활물질과 활물질 사이를 전기적으로 중계하기 위해 상기 도전성 네트워크 내에 분산된 탄소 섬유체를 포함하며, 상기 탄소 섬유체의 상호 인력을 감소시켜 상기 탄소 섬유체가 응집되지 않도록, 상기 탄소 섬유체의 표면은 붕소(B), 불소(F), 질소(N), 황(S) 및 수소(H) 중 어느 하나 또는 2 이상의 불순물 원소로 도핑 처리되고, 산 또는 계면 활성제로 표면 처리되는 전극 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 금속 섬유들은 스테인레스강, 알루미늄, 니켈, 구리, 타이타늄, 백금, 금, 은, 루테늄, 탄탈, 니오븀, 하프늄, 지르코늄, 바나듐, 인듐, 코발트, 텅스텐, 주석, 베릴륨, 몰리브덴 또는 이들의 합금이나 적층체를 포함하는 전극 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 탄소 섬유체는 평균 종횡비가 20 내지 20,000 의 범위 내인 전극 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 도전성 네트워크의 기공의 평균 크기(L)에 대한 상기 탄소 섬유체의 평균 길이(K)의 비(K/L)는 0
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제 1 항에 있어서,상기 탄소 섬유체는 단일월, 이중월, 솔리드 또는 이들의 혼합 구조를 갖는 전극 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 도전성 네트워크는 부직포 구조를 갖는 전극 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 금속 섬유들은 서로 물리적으로 접촉하여 결합된 전극 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 금속 섬유들의 평균 직경은 2 ㎛ 내지 20 ㎛인 전극 구조체
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제 1 항, 제 4항 내지 제 10 항 중 어느 하나의 항에 기재된 전극 구조체를 양극 또는 음극의 어느 한 전극으로 채택한 전지
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서로 접촉하여 3 차원 도전 경로를 형성하는 복수의 금속 섬유들을 포함하는 도전성 네트워크를 준비하는 단계;탄소 섬유체를 준비하는 단계;활물질에 상기 탄소 섬유체가 첨가된 슬러리를 준비하는 단계; 및,상기 도전성 네트워크에 상기 슬러리를 코팅하고 건조하는 단계를 포함하며,상기 탄소 섬유체는, 상기 탄소 섬유체의 상호 인력을 감소시켜 상기 탄소 섬유체가 응집되지 않도록, 상기 탄소 섬유체의 표면이 붕소(B), 불소(F), 질소(N), 황(S) 및 수소(H) 중 어느 하나 또는 2 이상의 불순물 원소로 도핑 처리되고, 상기 도핑 처리 이전 또는 이후에 산 또는 계면 활성제로 표면 처리되는 전극 구조체의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 불순물 원소의 농도 제어를 통해 상기 탄소 섬유체 사이의 인력을 제어함으로써 상기 슬러리의 유변학 특성을 제어하는 전극 구조체의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 도핑 처리는 상기 불순물 원소의 이온 주입 공정 또는 상기 불순물 원소를 함유하는 가스 분위기에서 열처리하는 기상 도핑법에 의해 수행되는 전극 구조체의 제조 방법
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16
제 12 항에 있어서,상기 도핑 처리는 상기 불순물 원소를 원소를 포함하는 액상 전구체 또는 상기 불순물 원소를 포함하는 염의 용액에 상기 탄소 섬유체를 넣고 교반, 수득 및 열처리를 포함하는 액상 도핑법에 의해 수행되는 전극 구조체의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 액상 전구체는, 불산(HF), 암모니아수(NH4OH), 붕산(H3BO3), 황산(H2SO4), 과산화수소수(H2O2), 및 증류수(H2O) 중 어느 하나 또는 이들의 혼합 용액을 포함하는 전극 구조체의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 염은 B4C, Na2B4O7 또는 이들의 혼합물을 포함하는 전극 구조체의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 슬러리 코팅 단계에 의해 상기 탄소 섬유체는 상기 도전성 네트워크와 활물질 사이 또는 상기 활물질과 활물질 사이에 위치하는 전극 구조체의 제조 방법
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