| 1 |
1
인덕터;게이트가 상기 인덕터의 일단에 연결되는 제1 부성저항 트랜지스터;게이트가 상기 인덕터의 타단에 연결되는 제2 부성저항 트랜지스터;제1 상보적 트랜지스터;상기 제1 상보적 트랜지스터와 상보적인 특성을 갖도록 교차 결합된 제2 상보적 트랜지스터; 및결합상수에 의해 결합되어 있는 1차 코일단과 2차 코일단으로 구성되어 있으며, 차동-단일단(differential to single) 변환 출력단을 형성하는 트랜스포머(transformer)를 포함하되,상기 제1 부성저항 트랜지스터의 소스가 상기 제1 상보적 트랜지스터의 드레인, 상기 제2 상보적 트랜지스터의 게이트 및 상기 트랜스포머의 1차 코일단의 일단과 연결되고, 상기 제2 부성저항 트랜지스터의 소스가 상기 제2 상보적 트랜지스터의 드레인, 상기 제1 상보적 트랜지스터의 게이트 및 상기 트랜스포머의 1차 코일단의 타단에 연결되어 있으며,상기 인덕터의 공통 노드는 상기 제1 및 제2 부성저항 트랜지스터의 게이트 바이어스 전압을 조절하기 위한 게이트 전원에 연결되고, 상기 제1 부성저항 트랜지스터는 NMOS(N channel Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터이고, 드레인이 전원에 연결되어 있으며, 상기 제2 부성저항 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터이고, 드레인이 전원에 연결되어 있고, 상기 제1 상보적 트랜지스터는 PMOS(P channel Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터이고, 소스가 전원에 연결되어 있고, 상기 제2 상보적 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터이고, 소스가 접지에 연결되어 있고, 상기 트랜스포머는 2차 코일단의 일측이 접지에 연결되고, 타측이 부하(Load)에 연결되는 구조로 출력단을 형성하는 것을 특징으로 하는 고출력 신호 발생기
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서, 상기 고출력 신호 발생기는, 상기 인덕터의 일측에 병렬로 연결된 제1 가변 커패시터와, 상기 인덕터의 타측에 병렬로 연결된 제2 가변 커패시터를 더 포함하고, 상기 제1 가변 커패시터와 제2 가변 커패시터의 제어전압을 조절하는 방식으로 발진 주파수를 제어하는 것을 특징으로 하는 고출력 신호 발생기
|
| 8 |
8
청구항 1에 있어서,상기 고출력 신호 발생기는, 상기 1차 코일단의 일측에 병렬로 연결된 제3 가변 커패시터와, 상기 1차 코일단의 타측에 병렬로 연결된 제4 가변 커패시터를 더 포함하고, 상기 제3 가변 커패시터와 제4 가변 커패시터의 제어전압을 조절하는 방식으로 발진 주파수를 제어하는 것을 특징으로 하는 고출력 신호 발생기
|
| 9 |
9
청구항 1에 있어서,상기 고출력 신호 발생기는, 상기 2차 코일단의 일측에 병렬로 연결된 제5 가변 커패시터를 더 포함하고, 상기 제5 가변 커패시터의 제어전압을 조절하는 방식으로 발진 주파수를 제어하는 것을 특징으로 하는 고출력 신호 발생기
|
| 10 |
10
인덕터;드레인이 상기 인덕터의 일단에 연결되는 제1 상보적 트랜지스터;드레인이 상기 인덕터의 타단에 연결되고, 상기 제1 상보적 트랜지스터와 상보적인 특성을 갖도록 교차 결합된 제2 상보적 트랜지스터;결합상수에 의해 결합되어 있는 1차 코일단과 2차 코일단으로 구성되어 있으며, 차동-단일단(differential to single) 변환 출력단을 형성하는 트랜스포머(transformer);게이트가 상기 1차 코일단의 일단에 연결되는 제1 부성저항 트랜지스터; 및게이트가 상기 1차 코일단의 타단에 연결되는 제2 부성저항 트랜지스터를 포함하되,상기 제1 부성저항 트랜지스터의 소스가 상기 제1 상보적 트랜지스터의 드레인, 상기 제2 상보적 트랜지스터의 게이트 및 상기 인덕터의 일단과 연결되고, 상기 제2 부성저항 트랜지스터의 소스가 상기 제2 상보적 트랜지스터의 드레인, 상기 제1 상보적 트랜지스터의 게이트 및 상기 인덕터의 타단에 연결되어 있으며,상기 1차 코일단의 공통 노드는 상기 제1 및 제2 부성저항 트랜지스터의 게이트 바이어스 전압을 조절하기 위한 게이트 전원에 연결되고, 상기 제1 부성저항 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터이고, 드레인이 전원에 연결되어 있으며, 상기 제2 부성저항 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터이고, 드레인이 전원에 연결되어 있고, 상기 제1 상보적 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터이고, 소스가 전원에 연결되어 있으며,상기 제2 상보적 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터이고, 소스가 접지에 연결되어 있고,상기 트랜스포머는 2차 코일단의 일측이 접지에 연결되고, 타측이 부하(Load)에 연결되는 구조로 출력단을 형성하는 것을 특징으로 하는 고출력 신호 발생기
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
청구항 10에 있어서, 상기 고출력 신호 발생기는, 상기 인덕터의 일측에 병렬로 연결된 제1 가변 커패시터와, 상기 인덕터의 타측에 병렬로 연결된 제2 가변 커패시터를 더 포함하고, 상기 제1 가변 커패시터와 제2 가변 커패시터의 제어전압을 조절하는 방식으로 발진 주파수를 제어하는 것을 특징으로 하는 고출력 신호 발생기
|
| 17 |
17
청구항 10에 있어서,상기 고출력 신호 발생기는, 상기 1차 코일단의 일측에 병렬로 연결된 제3 가변 커패시터와, 상기 1차 코일단의 타측에 병렬로 연결된 제4 가변 커패시터를 더 포함하고, 상기 제3 가변 커패시터와 제4 가변 커패시터의 제어전압을 조절하는 방식으로 발진 주파수를 제어하는 것을 특징으로 하는 고출력 신호 발생기
|
| 18 |
18
청구항 10에 있어서,상기 고출력 신호 발생기는, 상기 2차 코일단의 일측에 병렬로 연결된 제5 가변 커패시터를 더 포함하고, 상기 제5 가변 커패시터의 제어전압을 조절하는 방식으로 발진 주파수를 제어하는 것을 특징으로 하는 고출력 신호 발생기
|
