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이종 기판인 베이스 기판; 및상기 베이스 기판의 적어도 일면에 서로 이격되어 형성되는 다수의 GaN(Gallium Nitride) 박막으로 이루어지는 GaN 박막을 포함한 이종 기판
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제 1 항에 있어서,상기 베이스 기판은 사파이어(Al2O3) 기판, 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC)) 기판, 세라믹(Ceramic) 기판, 메탈 기판 중 하나인 GaN 박막을 포함한 이종 기판
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제 1 항에 있어서,상기 베이스 기판의 적어도 일면에 다수의 홈이 형성되고, 상기 다수의 GaN 박막은 상기 다수의 홈에 각각 형성되는 GaN 박막을 포함한 이종 기판
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제 1 항에 있어서,상기 GaN 박막은 점 배열 방식 또는 스트라이프 구조로 상기 베이스 기판에 형성되는 GaN 박막을 포함한 이종 기판
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적어도 일면에 다수의 홈이 형성된 이종 기판인 베이스 기판을 제공하고,상기 다수의 홈에 GaN(Gallium Nitride) 결정을 위치시키고,상기 GaN 결정을 성장시켜, 상기 베이스 기판에 GaN 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 GaN 박막을 포함한 이종 기판의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 적어도 일면에 다수의 홈이 형성된 이종 기판인 베이스 기판을 제공하는 것은,이종 기판인 베이스 기판을 준비하고, 준비된 베이스 기판의 적어도 일면에 패터닝 공정을 통해 상기 다수의 홈을 형성하는 것을 포함하는 GaN 박막을 포함한 이종 기판의 제조방법
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제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 다수의 홈은 PSS(Patterened Sapphire Substrate) 제작 방식에 따라 형성되는 GaN 박막을 포함한 이종 기판의 제조방법
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일면에 다수의 GaN(Gallium Nitride) 박막이 형성된 이종 기판인 모재 기판;상기 모재 기판의 일면에 순차적으로 적층되는 n-반도체, 활성층 및 p-반도체로 이루어지는 발광 소자
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제 8 항에 있어서,상기 모재 기판은 사파이어(Al2O3) 기판, 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC)) 기판, 세라믹(Ceramic) 기판, 메탈 기판 중 하나인 발광 소자
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제 8 항에 있어서,상기 모재 기판의 일면에 다수의 홈이 형성되고, 상기 다수의 GaN 박막은 상기 다수의 홈에 각각 형성되는 발광 소자
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제 8 항에 있어서,상기 모재 기판의 타면에 형성되는 다수의 GaN(Gallium Nitride) 박막; 및상기 모재 기판의 타면에 순차적으로 적층되는 n-반도체, 활성층 및 p-반도체를 더 구비하는 발광 소자
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일면에 다수의 GaN(Gallium Nitride) 박막이 형성된 이종 기판인 모재 기판을 준비하고,상기 모재 기판의 일면에 n-반도체층을 형성하고,상기 n-반도체층 상에 활성층을 형성하고,상기 활성층 상에 p-반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 모재 기판은 적어도 일면에 다수의 홈이 형성된 이종 기판을 준비하고, 상기 다수의 홈에 GaN 결정을 위치시키고, 상기 GaN 결정을 성장시켜, 상기 GaN 박막을 형성하는 과정을 통해 제조되는 발광 소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 모재 기판의 타면에 다수의 GaN 박막을 형성하고,상기 모재 기판의 타면에 n-반도체층을 형성하고,상기 n-반도체층 상에 활성층을 형성하고,상기 활성층 상에 p-반도체층을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 소자의 제조방법
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