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기판 상에 금속입자를 생성시키는 단계,상기 금속입자가 생성된 기판을 반응 챔버 내에 장착하는 단계,상기 금속입자가 생성된 기판을 일정 온도로 가열하고, 챔버 내에 탄화수소가스를 주입하는 단계, 상기 금속입자와 탄화수소가스가 반응하여 덴드리머 탄소소재를 합성하는 단계;를 포함하는 덴드리머 탄소소재의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 산화규소, 알루미나, 실리콘, 스텐리스인 것에 특징이 있는 덴드리머 탄소소재의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 반응 챔버는 열화학 기상증착(T-CVD) 챔버인 것에 특징이 있는 덴드리머 탄소소재의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 금속입자는 금속다발이 모인 클러스터 형태인 것에 특징이 있는 덴드리머 탄소소재의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 탄화수소가스 주입속도는 3,000 내지 15,000 SCCM인 것에 특징이 있는 덴드리머 탄소소재의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 가열온도는 650 내지 800℃인 것에 특징이 있는 덴드리머 탄소소재의 제조방법
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청구항 1 내지 6 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 방사형 사슬 형태를 형성한 덴드리머 구조를 갖는 탄소소재
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청구항 7에 있어서,상기 탄소소재는 열화학 기상증착법(T-CVD)으로 제조된 것을 특징으로 하는 탄소소재
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청구항 7에 있어서,상기 덴드리머 구조는 분지형태로부터 성장하여 형성된 것을 특징으로 하는 탄소소재
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청구항 7에 있어서,상기 방사선 사슬은 클러스터 형태의 금속입자로부터 형성된 것에 특징이 있는 탄소소재
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