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포토레지스트 패턴 형성 방법 및 포토레지스트 패턴을 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법(Method of forming photoresist pattern and method of manufacturing integrated circuit device including photoresist pattern)

  • 기술번호 : KST2015226225
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 포토레지스트막을 열처리한 후 노광하기 전에 포토레지스트막을 상온으로 냉각시키는 공정을 포함하는 포토레지스트 패턴 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법을 제공한다. 포토레지스트 패턴 형성 방법에서, 포토레지스트막을 1차 열처리한 후, 상온으로 냉각시킨다. 냉각된 포토레지스트막의 일부를 노광한다. 노광된 포토레지스트막을 2차 열처리한 후, 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다.
Int. CL G03F 7/00 (2006.01) G03F 7/26 (2006.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020140050930 (2014.04.28)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1606865-0000 (2016.03.22)
공개번호/일자 10-2015-0124267 (2015.11.05) 문서열기
공고번호/일자 (20160328) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.28)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 왕종 중국 서울특별시 중구
2 김남영 대한민국 경기도 광주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0405807-47
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0461457-62
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5067673-62
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0098462-28
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5074994-12
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0012516-75
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0161314-63
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0161318-45
10 등록결정서
Decision to grant
2016.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0208587-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.05.09 수리 (Accepted) 4-1-2016-5056854-41
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
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번호 청구항
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HEMT 소자를 구성하는 복수의 게이트, 복수의 소스 패드층, 및 복수의 드레인 패드층을 포함하는 적어도 하나의 전자 구성품 (electronic component)을 포함하는 기판상에 포토레지스트 조성물을 코팅하여 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트막을 제1 열처리 온도에서 소프트 베이크 (soft bake)하는 1차 열처리 단계와, 상기 1차 열처리된 포토레지스트막을 상온으로 냉각시키는 단계와, 상기 냉각된 포토레지스트막의 일부를 노광하는 단계와, 상기 노광된 포토레지스트막을 제2 열처리 온도에서 노광 후 베이크 (post exposure bake)하는 2차 열처리 단계와, 상기 포토레지스트막을 현상하여, 상기 복수의 소스 패드층 중 서로 이웃하는 2 개의 소스 패드층 사이의 공간을 채우면서 상기 서로 이웃하는 2 개의 소스 패드층을 덮는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 소잉 희생 패턴으로 이용하여, 상기 기판의 백사이드로부터 상기 서로 이웃하는 2 개의 소스 패드층이 오픈될 때까지 상기 기판을 다이싱(dicing)하는 단계와, 상기 기판의 백사이드로부터 상기 기판 위에 상기 2 개의 소스 패드층에 연결되는 금속층을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 따라 상기 금속층을 다이싱하여 상기 기판을 복수의 다이(die)로 분리하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자의 제조 방법
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