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GaAs 기판상에 펄스 레이즈 증착법에 의해 진공 플라즈마 이온 코팅 챔버하에서 Au 방울을 자발-형성방법으로 증착하는 Au 증착 방법에 있어서,상기 증착된 Au 방울의 나노 구조물에 대한 평균 높이, 측면 직경, 밀도 및 표면거칠기 중 어느 하나 이상의 특성을 증착 과정의 열처리 온도 또는 Au 증착량에 의하여 제어하는 것을 특징으로 하는 GaAs 기판상에 Au 방울의 성장 제어방법
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제1항에 있어서,상기 열처리 온도에 의하여 제어하는 것은,상기 Au 증착량을 2 nm ~ 20 nm 중 어느 하나의 일정 두께로 증착한 후에, 상기 열처리 온도는 100 ~ 550℃ 범위에서 목표 온도로 제어하는 것을 특징으로 하는 GaAs 기판상에 Au 방울의 성장 제어방법
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제2항에 있어서,상기 열처리 온도에 의하여 제어하는 것은, 상기 열처리 온도가 상승되면, 상기 평균 높이, 측면 직경은 커지고 상기 밀도가 작아지는 특성을 이용하여 제어하는 것을 특징으로 하는 GaAs 기판상에 Au 방울의 성장 제어방법
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제3항에 있어서,상기 측면 직경과 관련된 확산 거리(lD)는 다음 식에 의하여 연산되는 것을 특징으로 하는 GaAs 기판상에 Au 방울의 성장 제어방법 (여기서 D는 표면확산계수이고 T는 원자의 잔류시간이며, Tsb은 어닐링 온도(Ta)에 해당되는 것임)
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제4항에 있어서,상기 밀도는 상기 확산 거리(lD)가 증가하는 것에 비례하여 감소하는 것을 특징으로 하는 GaAs 기판상에 Au 방울의 성장 제어방법
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제1항에 있어서, 상기 증착된 Au 방울이 균일성을 갖는 돔 형태의 특징을 가지도록 형성하기 위하여 상기 열처리 온도를 400℃ 내지 550℃ 범위에서 제어하는 것을 특징으로 하는 GaAs 기판상에 Au 방울의 성장 제어방법
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제1항에 있어서상기 증착된 Au 방울의 표면이 물결 모양 형태의 나노 구조 특징을 가지도록 형성하기 위하여 상기 열처리 온도를 250℃ 내지 250℃ 범위에서 제어하는 것을 특징으로 하는 GaAs 기판상에 Au 방울의 성장 제어방법
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제1항에 있어서상기 열처리 온도에 의하여 제어하는 것은, 상기 열처리 온도 400℃ ~ 550℃ 범위 내에서 상기 열처리 온도가 1℃ 상승시마다 26
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제1항에 있어서,상기 Au 증착량에 의하여 제어하는 것은, 상기 Au 증착량을 2 ~ 20nm 범위에서 증착 제어를 수행한 후에 PLD 챔버에서 1 ×10-4 Torr 미만의 진공하에서 온도 823K에서 열처리 과정을 포함하여 제어하는 것을 특징으로 하는 GaAs 기판상에 Au 방울 성장 제어방법
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제1항에 있어서,상기 Au 증착량에 의하여 제어하는 것은,상기 표면거칠기는, 상기 Au 증착량이 2nm ~ 9 nm 범위에서는 1nm Au 증착 당 평균 3
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제1항에 있어서,상기 Au 증착량에 의하여 제어하는 것은,상기 Au 증착량이 2 ~ 6 nm 범위에서는 1
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제1항에 있어서,상기 Au 증착량에 의하여 제어하는 것은,상기 Au 증착량이 2nm으로부터 20 nm까지 변화될 때, 형성되는 Au 방울의 상기 평균 높이는 상기 증착량 2nm의 평균 높이에 4
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