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기판상에 BTO 박막을 형성하는 단계;상기 BTO 박막에 포토레지스트 층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 층 표면을 노광 마스크를 통하여 노광시키는 노광 단계;상기 노광된 부분을 현상시키는 현상단계;상기 현상된 포토레지스트층에 전자빔 증착에 의한 금속화 공정을 포함하여 금속 새도 마스크(shadow mask) 층을 형성하는 단계; 및 유도결합플라즈마(ICP) 에칭 시스템의 작업 챔버 내에서 상기 새도 마스크(shadow mask) 층이 형성된 BTO 박막 기판층에 SF6/O2/Ar 기체를 50 ~ 100/0 ~ 10/ 0 ~ 20 sccm 범위의 유속으로 토출하여 미세 패턴으로 에칭하는 에칭 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며,상기 BTO 박막을 형성하는 단계는, BTO(Barium Titanate) 파우더(powder) 입자를 에어로졸 챔버에서 에어로졸화 시킨 후, N2 가스를 이용하여 증착 챔버로 이동되고, 상기 증착 챔버에서 노즐을 통하여 상기 에어로졸화된 BTO(Barium Titanate) 파우더(powder) 입자를 기판상에 증착시키는 것을 특징으로 하는 BTO 미세 패턴 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 기판은 Pt/Ti/SiO2/실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 BTO 미세 패턴 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 에칭 단계에서 상기 유속은 상기 SF6/O2/Ar 기체를 50/0/10, 50/5/10, 50/10/10, 50/5/0, 50/5/20, 25/5/10, 75/5/10, 100/5/10 sccm 중 어느 하나의 유속으로 토출하여 미세 패턴으로 에칭하는 것을 특징으로 하는 BTO 미세 패턴 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 에칭 단계에서 상기 유속은 상기 SF6/O2 /Ar 기체를 70 ~ 80 / 4 ~ 6 /8 ~ 15 sccm의 유속으로 토출하여 미세 패턴으로 에칭하는 것을 특징으로 하는 BTO 미세 패턴 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 에칭 단계에서 상기 유속은 상기 SF6/O2/Ar 기체를 75/5/10 sccm의 유속으로 토출하여 미세 패턴으로 에칭하는 것을 특징으로 하는 BTO 미세 패턴 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 미세 패턴은 0
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제2항에 있어서,상기 미세 패턴은 300 ~ 500nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 BTO 미세 패턴 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 새도 마스크는 Ti/Cr금속 새도 마스크인 것을 특징으로 하는 BTO 미세 패턴 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 에칭 단계 이후에 N2 분위기 하에서 1 ~ 3 분 동안 750℃에서 급속 열처리에 의한 후열처리 과정을 거치는 것을 특징으로 하는 BTO 미세 패턴 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 에칭 단계에서 적정 기체 압력은 7 ~ 8 mTorr, 적정 챔버 온도는 293K를 유지하는 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 BTO 미세 패턴 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 증착챔버의 진공도는 3
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제2항에 있어서,상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계에서 상기 포토레지스트 층은 3
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제2항에 있어서,상기 노광 단계는 상기 포토레지스트 층 표면을 90℃에서 90초 동안 노광이 수행되며, 노광 후에는 굽기가 100℃에서 90초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 BTO 미세 패턴 형성 방법
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