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기판;상기 기판 상에 형성된 요철 형상을 갖는 광산란층;상기 광산란층 상에 직접 접촉하여 제공되는 투명 전극 필름;상기 투명 전극 필름 상에 유기발광층; 및상기 유기발광층 상에 전극을 포함하는 유기발광 다이오드
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제 1항에 있어서,상기 광산란층은 나노 구조체 및 상기 나노 구조체들 사이의 에어갭을 포함하는 유기발광 다이오드
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제 2항에 있어서,상기 나노 구조체들의 폭은 50nm 내지 3000nm이고, 상기 나노 구조체들 사이의 간격은 50nm 내지 3000nm인 것을 포함하는 유기발광 다이오드
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제 1항에 있어서,상기 투명 전극 필름은 전도성 고분자, 전도성 산화물, 탄소계 물질 또는 금속계 물질 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 다이오드
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제 4항에 있어서,상기 전도성 고분자는 poly(3,4-ethylenedioxythiophene), poly(4- styrenesulfonate), 폴리아세틸렌(Polyacetylene), Poly-(p-Phenylene), 폴리티오펜(Polythiophene), Poly(ethylenedioxythiophene), 폴리피롤(Polypyrrole), Poly(p-phenylene vinylene), Poly(thienylene vinylene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리아이소티아나프텐(Polyisothianaphthene), 또는 Poly(p-phenylene sylfide) 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 다이오드
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제 4항에 있어서,상기 전도성 산화물은 인듐주석산화물(ITO) 또는 인듐아연산화물(IZO) 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 다이오드
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제 1항에 있어서,상기 투명 전극 필름은 그래핀, 이황화 몰르브덴 또는 황화텅스텐 중 적어도 하나를 포함하는 포함하는 유기발광 다이오드
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기판 상에 광산란층을 형성하는 단계;상기 광산란층 상에 투명 전극 필름을 제공하는 단계; 및상기 투명 전극 필름을 상기 광산란층 위에 직접 접촉하도록 전사하는 단계를 포함하는 유기발광 다이오드 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 투명 전극 필름은 그래핀, 이황화 몰르브덴 또는 황화텅스텐 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 다이오드 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 전사하는 단계는 상기 광산란층 상에 상기 투명 전극 필름을 직접 접촉시키고, 열처리하는 것을 포함하는 유기발광 다이오드 제조방법
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