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유연성 기판 위에 그래핀 옥사이드층(Graphite Oxide Layer)을 형성하는 그래핀 형성단계;상기 그래핀 옥사이드 위에 패터닝된 마스크를 형성하는 마스크 형성단계;상기 마스크 위에 금속을 증착시키는 금속 증착단계;상기 마스크를 제거하는 마스크 제거단계;상기 마스크가 제거된 상기 유연성 기판 위에 형성된 그래핀 옥사이드층을 환원하는 그래핀(Graphene) 환원단계;를 포함하되,상기 그래핀 환원단계는;펄스 레이저 노출(Pulsed Laser Exposure), RF 플라즈마 노출(RF Plasma Exposure) 및 전자빔 노출(E-Beam Exposure)중 어느 하나 이상의 물리적 방법을 사용하고, 이후 후속 열 처리(Thermal Annealing)로 상기 그래핀 옥사이드층을 환원(reduction)시켜 드레인 전극, 소오스 전극 및 채널층을 동일면에 일체로 형성하는 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 그래핀 환원단계에서;상기 채널층이 상기 드레인 전극과 소오스 전극 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 그래핀 환원단계에서;상기 그래핀 옥사이드층이 부분 환원(Partially reduced)되어 상기 채널층이 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 그래핀 환원단계에서;상기 그래핀 옥사이드층이 완전 환원(Fully reduced)되어 상기 드레인 전극 및 소스 전극이 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 증착단계에서;상기 증착된 금속이 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자의 제조방법
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제 5항에 있어서,상기 게이트 전극은;상기 그래핀 옥사이드층 위에 티탄 알루미늄계 합금(Ti/Al) 금속을 증착하여 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 그래핀 옥사이드층의 환원 이후에, 상기 기판을 열 처리(Thermal Annealing)하는 열처리 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자의 제조방법
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유연성 기판;상기 유연성 기판 위에 드레인 전극, 소오스 전극 및 채널층이 동일면에 일체로 형성된 그래핀 옥사이드층;상기 채널층 위에 형성된 게이트 절연층;상기 절연층 위에 형성된 게이트 전극;을 포함하되,상기 드레인 전극 및 소스 전극은,펄스 레이저 노출(Pulsed Laser Exposure), RF 플라즈마 노출(RF Plasma Exposure) 및 전자빔 노출(E-Beam Exposure)중 어느 하나 이상의 물리적 방법을 사용하여 상기 그래핀 옥사이드층을 환원(reduction)시켜 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
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제 9항에 있어서,상기 채널층은;상기 드레인 전극과 소오스 전극 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
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제 9항에 있어서,상기 채널층은;상기 그래핀 옥사이드층이 부분 환원(Partially reduced)되어 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
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제 9항에 있어서,상기 드레인 전극 및 소스 전극은,상기 그래핀 옥사이드층이 완전 환원(Fully reduced)되어 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
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제 9항에 있어서,상기 게이트 전극은;상기 그래핀 옥사이드층 위에 금속을 증착하여 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
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제 13항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 금속은;티탄 알루미늄계 합금(Ti/Al)인 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
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제 13항에 있어서,상기 절연층은;상기 그래핀 옥사이드층 위에 금속을 증착하면서 화학적 결합에 의하여 상기 금속의 하부가 산화되어 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
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제 9항 내지 제 15항중 어느 한 항에 있어서,상기 그래핀계 탄소소재 전자소자는, 박막 필름 트랜지스터(Thin-Flim Transistor)인 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
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