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그래핀계 탄소소재 전자소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015226516
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유연성 기판을 사용하는 그래핀계 탄소소재 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유연성 기판; 상기 유연성 기판 위에 각각 형성된 드레인 전극 및 소오스 전극; 상기 드레인 전극과 소오스 전극 사이에 형성된 채널층; 상기 채널층 위에 형성된 게이트 절연층; 상기 절연층 위에 형성된 게이트 전극;을 포함하며, 제조 공정을 단순화하여 작업성을 향상시키고, 저온 공정으로 인하여 유연성 기판을 사용할 수 있고, 식각 공정을 거치지 않아 작업시간을 단축시킬 뿐만 아니라 제조 단가를 절감시킨다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01)
출원번호/일자 1020120049935 (2012.05.10)
출원인 울산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1347889-0000 (2013.12.27)
공개번호/일자 10-2013-0126111 (2013.11.20) 문서열기
공고번호/일자 (20140109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.10)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용수 대한민국 울산 남구
2 최학순 대한민국 울산 북구
3 이건희 대한민국 울산 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종선 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로*길 **, 광성빌딩 **층 (역삼동)(케이엘피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 울산광역시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0375970-53
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0036750-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0426791-43
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0744530-78
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0819259-35
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.09.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0819265-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-0057072-80
9 등록결정서
Decision to grant
2013.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0879455-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.30 수리 (Accepted) 4-1-2013-5176374-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5080807-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154267-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유연성 기판 위에 그래핀 옥사이드층(Graphite Oxide Layer)을 형성하는 그래핀 형성단계;상기 그래핀 옥사이드 위에 패터닝된 마스크를 형성하는 마스크 형성단계;상기 마스크 위에 금속을 증착시키는 금속 증착단계;상기 마스크를 제거하는 마스크 제거단계;상기 마스크가 제거된 상기 유연성 기판 위에 형성된 그래핀 옥사이드층을 환원하는 그래핀(Graphene) 환원단계;를 포함하되,상기 그래핀 환원단계는;펄스 레이저 노출(Pulsed Laser Exposure), RF 플라즈마 노출(RF Plasma Exposure) 및 전자빔 노출(E-Beam Exposure)중 어느 하나 이상의 물리적 방법을 사용하고, 이후 후속 열 처리(Thermal Annealing)로 상기 그래핀 옥사이드층을 환원(reduction)시켜 드레인 전극, 소오스 전극 및 채널층을 동일면에 일체로 형성하는 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 그래핀 환원단계에서;상기 채널층이 상기 드레인 전극과 소오스 전극 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 그래핀 환원단계에서;상기 그래핀 옥사이드층이 부분 환원(Partially reduced)되어 상기 채널층이 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 그래핀 환원단계에서;상기 그래핀 옥사이드층이 완전 환원(Fully reduced)되어 상기 드레인 전극 및 소스 전극이 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 금속 증착단계에서;상기 증착된 금속이 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 게이트 전극은;상기 그래핀 옥사이드층 위에 티탄 알루미늄계 합금(Ti/Al) 금속을 증착하여 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 그래핀 옥사이드층의 환원 이후에, 상기 기판을 열 처리(Thermal Annealing)하는 열처리 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자의 제조방법
8 8
삭제
9 9
유연성 기판;상기 유연성 기판 위에 드레인 전극, 소오스 전극 및 채널층이 동일면에 일체로 형성된 그래핀 옥사이드층;상기 채널층 위에 형성된 게이트 절연층;상기 절연층 위에 형성된 게이트 전극;을 포함하되,상기 드레인 전극 및 소스 전극은,펄스 레이저 노출(Pulsed Laser Exposure), RF 플라즈마 노출(RF Plasma Exposure) 및 전자빔 노출(E-Beam Exposure)중 어느 하나 이상의 물리적 방법을 사용하여 상기 그래핀 옥사이드층을 환원(reduction)시켜 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
10 10
제 9항에 있어서,상기 채널층은;상기 드레인 전극과 소오스 전극 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
11 11
제 9항에 있어서,상기 채널층은;상기 그래핀 옥사이드층이 부분 환원(Partially reduced)되어 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
12 12
제 9항에 있어서,상기 드레인 전극 및 소스 전극은,상기 그래핀 옥사이드층이 완전 환원(Fully reduced)되어 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
13 13
제 9항에 있어서,상기 게이트 전극은;상기 그래핀 옥사이드층 위에 금속을 증착하여 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
14 14
제 13항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 금속은;티탄 알루미늄계 합금(Ti/Al)인 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
15 15
제 13항에 있어서,상기 절연층은;상기 그래핀 옥사이드층 위에 금속을 증착하면서 화학적 결합에 의하여 상기 금속의 하부가 산화되어 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
16 16
제 9항 내지 제 15항중 어느 한 항에 있어서,상기 그래핀계 탄소소재 전자소자는, 박막 필름 트랜지스터(Thin-Flim Transistor)인 것을 특징으로 하는 그래핀계 탄소소재 전자소자
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.