| 1 |
1
기판; 상기 기판상에 적층되며 다결정 질화알루미늄(AlN)을 포함하는 압전층; 및상기 압전층 상에 형성되며 표면탄성파(SAW)가 입력되면 습도를 센싱하여 그에 대응되는 표면탄성파를 출력하는 센싱층;을 포함하고,상기 센싱층은 산화아연 나노막대(ZnO nanorods)를 포함하되,상기 압전층 및 상기 센싱층 사이에 산화아연 시드 층(Seed layer-ZnO)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노막대를 포함하는 표면탄성파 습도센서
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 압전층 상의 일측에 형성되며 외부 신호 인가에 따라 인가되는 신호를 표면 탄성파로 변환하는 입력부(Input); 및상기 압전층 상의 타측에 형성되며 상기 출력되는 표면 탄성파를 해석하여 전기적 신호로 변환하는 출력부(Output);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 습도센서
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 센싱층은, 졸겔 공정(Sol-gel process)에 의해 적층되는 것을 특징으로 하는, 습도센서
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 센싱층은,갈륨(Ga)으로 도핑된 것을 특징으로 하는, 습도센서
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 갈륨(Ga)의 도펀트 레벨(dopant level)의 범위는 0
|
| 7 |
7
제1항, 및 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화아연 나노막대(ZnO nanorods)의 직경은 50 내지 300nm인 것을 특징으로 하는, 습도센서
|
| 8 |
8
기판을 제공하는 단계; 상기 기판상에 다결정 질화알루미늄(AlN)을 적층하여 압전층을 형성하는 단계; 및상기 압전층 상에 산화아연 나노막대를 적층하여 센싱층을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 압전층을 형성한 후, 상기 센싱층을 형성하기 전에 산화아연 시드 층(Seed layer-ZnO)을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노막대를 포함하는 표면탄성파 습도센서의 제조방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제8항에 있어서, 상기 압전층 상의 일측에 외부 신호 인가에 따라 인가되는 신호를 표면탄성파로 변환하는 입력부(Input)를 형성하는 단계; 및상기 압전층 상의 타측에 형성되며 상기 변환된 표면탄성파를 해석하여 전기적 신호로 변환하는 출력부(Output)를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 습도센서의 제조방법
|
| 11 |
11
제8항에 있어서, 상기 센싱층은 졸겔 공정(Sol-gel process)으로 적층되는 것을 특징으로 하는, 습도센서의 제조방법
|
| 12 |
12
제8항에 있어서, 상기 센싱층이 갈륨(Ga)으로 도핑되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 습도센서의 제조방법
|
