맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

3C-SiC 박막을 이용한 그래핀 합성법

  • 기술번호 : KST2015226529
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3C-SiC의 결정성장 단계를 이용하여, 기판을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 SiO2층을 성장시키는 단계; 상기 SiO2 층상에 결정성 3C-SiC 박막을 성장시키는 단계; 상기 결정성 3C-SiC 박막상에 Ni층을 증착시키는 단계; 상기 Ni층이 증착된 기판을 열처리하는 단계; 및 상기 열처리 된 기판을 냉각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 합성방법을 제공한다.
Int. CL C01B 31/36 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01) C23C 16/06 (2006.01)
CPC C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01)
출원번호/일자 1020120077479 (2012.07.16)
출원인 울산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1383295-0000 (2014.04.01)
공개번호/일자 10-2014-0010320 (2014.01.24) 문서열기
공고번호/일자 (20140407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.16)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산광역시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정귀상 대한민국 울산광역시 울주군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김종선 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로*길 **, 광성빌딩 **층 (역삼동)(케이엘피특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 울산광역시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0568165-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0085461-44
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0804701-11
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-0057072-80
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.30 수리 (Accepted) 4-1-2013-5176374-15
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0003804-93
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0003796-15
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0209074-81
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5080807-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154267-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 SiO2층을 성장시키는 단계; 상기 SiO2 층상에 결정성 3C-SiC 박막을 성장시키는 단계; 상기 결정성 3C-SiC 박막상에 Ni층을 증착시키는 단계; 상기 Ni층이 증착된 기판을 열처리하는 단계; 및 상기 열처리 된 기판을 냉각하는 단계;를 포함하고, 상기 SiO2 층상에 결정성 3C-SiC 박막을 성장시키는 단계는 대기압 고온 화학기상증착(APCVD)법을 이용하며, 상기 Ni층이 증착된 기판을 열처리하는 단계는, 상기 Ni층이 증착된 기판을 100℃까지 승온시키면서 8 내지 12 ℃/s의 속도로 승온시키면서 열처리하는 제 1 열처리 단계; 및 상기 Ni층이 증착된 기판을 800 내지 1300℃까지 승온시키면서 30 내지 40 ℃/s의 속도로 승온시키면서 열처리하는 제 2 열처리 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 합성방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 Ni층이 증착된 기판을 열처리하는 단계는 0
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 열처리된 기판을 냉각하는 단계는 냉각속도가 45 내지 55 ℃/s인 것을 특징으로 하는 그래핀 합성방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 증착된 Ni층의 두께는 10 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는 그래핀 합성방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 그래핀 합성방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 열처리하는 단계 및 냉각하는 단계에서 비휘발성 가스를 주입하는 것을 특징으로 하는 그래핀 합성방법
10 10
제 1 항에 있어서, 냉각하는 단계 이후에, SiO2 기판과 그래핀을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 합성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 울산대학교 산학협력단 지역혁신인력양성사업 실리콘 카바이드 기반 고성능 수소센서류 개발(2차)