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완화형 강유전 고분자인 P(VDF-TrFE-CFE) 재질로 형성되고 피검체에 대해 초음파의 송수신을 수행하는 압전층;상기 압전층의 상면과 하면에 각각 적층되는 제1 전극 및 제2 전극;상기 제1 전극과 제2 전극 사이에서 교류 전압을 인가 또는 감지하는 교류 전압부; 및상기 제1 전극과 제2 전극 사이에서 직류 바이어스 전압을 인가하는 직류 전압부를 포함하며,상기 압전층은, 상기 직류 바이어스 전압의 인가 시에 내부의 분극이 두께 방향으로 정렬되어 전기-기계 결합계수(Electromechanical Coupling Coefficient)가 증가되며,상기 압전층은,상하 방향으로 적층된 복수의 압전층들로 구성되고, 상기 복수의 압전층들 중에서, 최상단 압전층의 상면과 최하단 압전층의 하면 및 상기 압전층들 사이 부분에, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 포함하는 복수 개의 전극층이 형성되어 있으며,상기 직류 전압부는,상기 복수 개의 전극층에 인가되는 직류 바이어스 전압의 크기를 개별적으로 조절하여 상기 압전층 별로 분극 방향을 조절하는 완화형 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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청구항 1에 있어서,상기 제1 전극의 상면에 적층되어 상기 압전층과 상기 피검체 사이의 음향 임피던스 정합을 수행하는 정합층; 및상기 제2 전극의 하면에 적층되어 상기 제2 전극의 하부를 통과한 초음파를 흡수하는 배킹층을 더 포함하는 완화형 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은,PEDOT:PSS를 포함하는 전도성 고분자 물질로 형성된 완화형 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은,크롬(Cr), 타이타늄(Ti), 골드(Au), 실버(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 중 적어도 하나의 재질을 포함하여 형성된 완화형 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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청구항 1에 있어서,상기 교류 전압부는,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 존재하는 상기 교류 전압과 상기 직류 전압을 분리하기 위한 커패시터를 교류 라인 상에 포함하는 완화형 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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