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폴리아닐린 입자; 및 유기용매를 포함하되,상기 폴리아닐린 입자는 육면체 형태이고, 육면체 내부의 최대각이 90 내지 120°이며,40 내지 60 nm의 평균 입경을 갖는 입자가 전체 입자의 70% 이상이고,폴리아닐린 입자의 밀도(D)가 40 내지 220 mg/mL이며,폴리아닐린 입자에 대한 UV-Vis 흡광도 측정 시,327 nm 부근에서 제1 피크를 가지고, 450 nm 부근에서 제2 피크를 가지며,폴리아닐린 입자에 대한 X-선 회절 측정 시, 하기 수학식 1을 만족하는 페이스트 조성물:[수학식 1]P1 ≤ P2이때, P1은 2θ로 표시되는 22 내지 23°의 회절피크 강도이고,P2는 2θ로 표시되는 26 내지 27°의 회절피크 강도이다
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제 1 항에 있어서,폴리아닐린 입자에 대한 X-선 회절 측정 시,2θ로 표시되는 16
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제 1 항에 있어서,유기용매는 N-메틸피롤리돈(NMP, N-methylpyrrolidone), N,N-다이메틸포름아마이드(DMF, N,N-dimethylformamide), m-크레졸(m-cresol) 및 클로로포름(chloroform)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 페이스트 조성물
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제 1 항에 있어서,페이스트 조성물은 바인더 및 도전제 중 어느 하나 이상의 첨가제를 더 포함하는 페이스트 조성물
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제 8 항에 있어서,바인더는 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVdF, polyvinylidene fluoride), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene), 카복시메틸 셀룰로오즈/스티렌-부타다이엔 고무(CMC-SBR, carboxymethyl cellulose/styrene-butadiene rubber), 폴리올레핀, 폴리이미드, 폴리우레탄 및 폴리에스테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상인 페이스트 조성물
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제 8 항에 있어서,도전제는 슈퍼-피(super-p), 카본블랙(carbon black), 아세틸렌플랙(acetylene black), 덴카 블랙(denka Black), 케첸 블랙(ketjen Black) 또는 기상성장탄소섬유(VGCF, vapor grown carbon fiber)를 포함하는 탄소계 도전제; 은(Ag); 알루미늄(Al); 구리(Cu); 및 아연(Zn)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 페이스트 조성물
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제1 도판트로 도핑된 폴리아닐린(ES)을 제조하는 단계;도핑된 폴리아닐린 및 환원제를 혼합하여 도핑된 폴리아닐린을 탈도핑하는 단계;탈도핑된 폴리아닐린(EB) 및 유기용매를 혼합하여 탈도핑된 폴리아닐린 용액을 제조하는 단계; 및탈도핑된 폴리아닐린 용액 및 제2 도판트를 혼합하여 기계적 외력이 작용하는 반응기에서 폴리아닐린을 도핑하는 단계를 포함하고,기계적 외력이 작용하는 반응기에서 도핑된 폴리아닐린은,40 내지 60 nm의 평균 입경을 갖는 입자가 전체 입자의 70% 이상이고,상기 입자의 형태는 육면체 형태를 가지며, 육면체 내부의 최대각이 90 내지 120°이고,폴리아닐린 입자에 대한 UV-Vis 흡광도 측정 시,327 nm 부근에서 제1 피크를 가지고, 450 nm 부근에서 제2 피크를 가지며,폴리아닐린 입자에 대한 X-선 회절 측정 시, 하기 수학식 1을 만족하는 페이스트 조성물의 제조방법:[수학식 1]P1 ≤ P2이때, P1은 2θ로 표시되는 22 내지 23°의 회절피크 강도이고,P2는 2θ로 표시되는 26 내지 27°의 회절피크 강도이다
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제 11 항에 있어서,환원제는 수산화암모늄(NH4OH), 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 수산화칼슘(Ca(OH)2)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 페이스트 조성물의 제조방법
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제 11 항에 있어서,유기용매는 N-메틸피롤리돈(NMP, N-methylpyrrolidone), N,N-다이메틸포름아마이드(DMF, N,N-dimethylformamide), m-크레졸(m-cresol) 및 클로로포름(chloroform)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 페이스트 조성물의 제조방법
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제 11 항에 있어서,제1 도판트 및 제2 도판트는 서로 독립적으로 불산(HF), 염산(HCl), 과염소산(HClO4), 질산(HNO3), 황산(H2SO4), 플루오르술폰산(FSO3H), 술폰산(CH3SO3H), 캄포술폰산(camphorsulfonic acid), 폴리스티렌술폰산(PSSA, polystyrenesulfonic acid), p-톨루엔술폰산(p-TSA, p-toluenesulfonic acid) 및 도데실 벤젠 술폰산(DBSA, dodecyl benzene sulfonic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 페이스트 조성물의 제조방법
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제 11 항에 있어서,탈도핑된 폴리아닐린 용액을 제조하는 단계 이전에,탈도핑된 폴리아닐린을 분쇄하는 단계;폴리아닐린을 도핑하는 단계 이후에,도핑된 폴리아닐린 용액에 첨가제를 혼합하는 단계; 및폴리아닐린을 도핑하는 단계 이후에,원심분리하여 잉여 용매를 제거하는 단계 중 어느 하나 이상의 단계를 더 포함하는 페이스트 조성물의 제조방법
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플렉시블 기판; 음극 집전체층; 및 제1항에 따른 페이스트 조성물을 포함하는 폴리아닐린 나노페이스트층을 포함하는 플렉시블 전극
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제16항에 따른 플렉시블 전극;고체상 고분자 전해질; 및대향 전극을 포함하는 플렉시블 리튬 이차전지
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