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P(VDF-TrFE) 막:상기 P(VDF-TrFE) 막의 상면에 형성되는 상부 전극;상기 P(VDF-TrFE) 막의 하면에 형성되는 하부 전극; 및상기 P(VDF-TrFE) 막과 상부 전극 사이 및 P(VDF-TrFE) 막과 하부 전극 사이에 이들의 접합층을 형성하는 PVDF 기반의 폴리머 막; 을 포함하고,상기 PVDF 기반의 폴리머 막은,P(VDF-TrFE) 막 보다 융점이 낮은 저융점 PVDF 기반의 폴리머 막임을 특징으로 하는 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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청구항 1에 있어서,P(VDF-TrFE) 막은,용융온도가 섭씨 150도~160도인 폴리머 막임을 특징으로 하는 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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청구항 1에 있어서,상기 P(VDF-TrFE) 막은,스트레칭 공정을 통해 단결정으로 만들어진 단결정 P(VDF-TrFE) 막임을 특징으로 하는 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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청구항 1에 있어서,PVDF 기반의 폴리머 막은,P(VDF-TrFE-CFE), P(VDF-TrFE-CTFE), P(VDF-TFE), P(VDF-HFA), P(VDF-TFE-HFP) 중 선택되는 어느 하나로 제조되거나, 또는 적어도 하나 이상의 이들의 조합으로 제조되는 것임을 특징으로 하는 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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청구항 5에 있어서,상기 상부 전극과 하부 전극 사이의 P(VDF-TrFE) 막은,복수의 층으로 구성되고 복수의 층으로 구성되는 각 P(VDF-TrFE) 막 사이에는 이들의 접합층을 형성하는 PVDF 기반의 폴리머 막이 형성됨을 특징으로 하는 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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청구항 3에 있어서,상기 P(VDF-TrFE) 막은,P(VDFx-TrFE(1-x))에서 x가70~80 %인 고분자임을 특징으로 하는 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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청구항 1에 있어서,상기 상부 전극 및 하부 전극은,알루미늄, 금, 구리, 니켈, 크롬 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 적어도 하나 이상의 이들의 조합으로 제조됨을 특징으로 하는 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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청구항 1에 있어서,상기 하부 전극 밑에는,받침재료가 설치됨을 특징으로 하는 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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청구항 9에 있어서,상기 하부 전극과 받침재료 사이에는,절연층이 형성됨을 특징으로 하는 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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청구항 1에 있어서,상기 상부 전극 위에는,임피던스 결합층이 형성됨을 특징으로 하는 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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청구항 11에 있어서,상기 상부 전극과 임피던스 결합층 사이에는 접착층이 형성됨을 특징으로 하는 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기
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청구항 1의 P(VDF-TrFE) 막은,P(VDF-TrFE) 분발을 MEK용액에 넣어 P(VDF-TrFE) 용액을 준비하는 제1단계;P(VDF-TrFE) 용액을 기판 상에 도포하고 건조후 기판에서 P(VDF-TrFE) 막을 제거하는 제2단계;P(VDF-TrFE) 막에 열을 가하면서 스트레칭하는 제3단계;스트레칭 과정을 거친 P(VDF-TrFE) 막을 어닐링하는 제4단계; 및어닐링 과정을 거친 P(VDF-TrFE) 막을 폴링하는 제5단계;를 포함하여 제조되는 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기의 P(VDF-TrFE) 막 제조방법
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청구항 13에 있어서,제1단계에서,P(VDF-TrFE) 용액은 필터링 과정을 통해 설정 크기 이상의 입자를 걸러주고 용해가 덜된 입자와 불순물을 제거하는 강유전 고분자를 이용한 초음파 변환기의 P(VDF-TrFE) 막 제조방법
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