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가나이트 보호층을 이용한 질화갈륨 박막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015226895
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가나이트 보호층을 이용한 질화갈륨 박막 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 질화갈륨 박막이 성장되는 산화아연 버퍼층의 표면에 높은 경도와 열적ㆍ화학적 안정성을 갖는 스피넬 구조의 가나이트 보호층을 형성함으로써, 질화갈륨의 성장시 고온ㆍ고압의 질화갈륨 성장환경에서 발생하는 산화아연 버퍼층의 열적ㆍ화학적 에칭을 방지하여 결함밀도가 낮고 불순물 오염이 적은 양질의 질화갈륨 박막을 제조할 수 있도록 한 것이다.이에 본 발명은 기판(1)의 상면에 산화아연 버퍼층(2)을 형성하는 버퍼층 형성단계(10)와, 상기 산화아연 버퍼층(2)의 상부에 알루미늄층(3)을 형성하는 알루미늄 증착단계(20)와, 상기 알루미늄층(3)을 대기중에서 열처리하는 고상성장법(Solid phase epitaxy)에 의해 산화아연 버퍼층(2)의 표면에 가나이트 보호층(4)을 형성하는 보호층 형성단계(30)와, 상기 가나이트 보호층(4)의 상부에 질화갈륨 박막(5)을 성장시키는 질화갈륨 증착단계(40)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020120087943 (2012.08.10)
출원인 한국해양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1370624-0000 (2014.02.27)
공개번호/일자 10-2014-0021417 (2014.02.20) 문서열기
공고번호/일자 (20140310) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.10)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국해양대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 영도구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장지호 대한민국 부산광역시 남구
2 최성국 대한민국 부산 영도구
3 유진엽 대한민국 부산 동래구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성환 대한민국 부산광역시 연제구 시청로 ** (연산동, 부산 더샵 시티애비뉴*) , ***동 ***호(김성환특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국해양대학교 산학협력단 부산광역시 영도구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0642692-51
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0784242-15
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0570199-12
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0949736-73
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0949692-52
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002381-40
7 등록결정서
Decision to grant
2014.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0097023-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5117570-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2015-5048803-56
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2015-5048802-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077236-51
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번호 청구항
1 1
기판(1)의 상면에 산화아연 버퍼층(2)을 형성하는 버퍼층 형성단계(10)와,상기 산화아연 버퍼층(2)의 상부에 알루미늄층(3)을 형성하는 알루미늄 증착단계(20)와,상기 알루미늄층(3)을 대기중에서 열처리하는 고상성장법(Solid phase epitaxy)에 의해 산화아연 버퍼층(2)의 표면에 가나이트 보호층(4)을 형성하는 보호층 형성단계(30)와,상기 가나이트 보호층(4)의 상부에 질화갈륨 박막(5)을 성장시키는 질화갈륨 증착단계(40)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 가나이트 보호층을 이용한 질화갈륨 박막 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판(1)은 사파이어 기판, 탄화규소 기판 또는 산화물 기판 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가나이트 보호층을 이용한 질화갈륨 박막 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 가나이트 보호층(4)의 고상성장은 575 ~ 625℃의 온도범위에서 실시되는 것을 특징으로 하는 가나이트 보호층을 이용한 질화갈륨 박막 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 질화갈륨 증착단계(40)에서 형성되는 질화갈륨 박막(5)은 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)법에 의해 성장되는 것을 특징으로 하는 가나이트 보호층을 이용한 질화갈륨 박막 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 질화갈륨 박막(5)의 성장은 800 ~ 1100℃의 온도 범위에서 실시되는 것을 특징으로 하는 가나이트 보호층을 이용한 질화갈륨 박막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국해양대학교 산학협력단 대학IT연구센터 육성지원사업 LED 해양수산조선산업 융합을 통한 Green IT 기술개발