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기판;상기 기판 상에 형성된 n형 반도체 층;상기 n형 반도체 층 위에 형성되며 활성층과 p형반도체층을 포함하는 둘 이상의 LED셀;상기 LED셀이 형성된 영역을 제외한 부분에 형성된 절연층;상기 LED셀의 p형반도체층과 연결되며 상기 절연층위에 형성된 p 전극패드;상기 절연층이 제거된 영역에 노출된 상기 n형 반도체층에 형성된 두 개이상의 n형 전극패드;상기 둘 이상의 LED셀 사이의 중앙 영역을 지나며 상기 n형 전극패드 사이를 연결하는 n형 전극패드간 연결부; 상기 n형 전극패드간 연결부의 아래에 형성된 빈공간을 포함하는 하이브리드 센서를 가지는 LED칩
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제1항에 있어서,상기 칩에 연결된 출력장치를 갖는 것을 특징으로 하는 하이브리드 센서를 가지는 LED칩
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제2항에 있어서,상기 출력장치가 전류변화를 표시하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 센서를 가지는 LED칩
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제2항에 있어서,상기 n형 전극패드간 연결부가 오염 물질에 의해 손상됨으로서 전극에 연결된 상기 출력장치의 출력을 변화시켜 오염을 감지하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 센서를 가지는 LED칩
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제4항에 있어서,상기 출력변화에 의해 오염을 감지하는 하이브리드센서와상기 n형 반도체층으로 전류 흐름에 의해 조명으로서 발광하는 LED셀이 n전극을 공유하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 센서를 가지는 LED칩
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제1항에 있어서,상기 n형 전극패드간연결부는 화학적 자극에 반응하는 금속인 것을 특징으로 하는 하이브리드 센서를 가지는 LED칩
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제6항에 있어서,상기 화학적 자극이 신경가스, 무색 가스, 무취가스를 포함하는 화학 가스와HCl, H2SO4, 질산, HF, 왕수를 포함하는 환경오염가스와 환경오염 물질 중에 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 하이브리드 센서를 가지는 LED칩
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8
제1항에 있어서,상기 n형 전극패드간 연결부의 상부가 n형패드전극 또는 p형패드전극의 높이보다 낮아서 상기 n형 전극패드간 연결부 위에 공간을 갖는 것을 특징으로 하는 하이브리드 센서를 가지는 LED칩
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제2항에 있어서,상기 출력장치가 전류변화율을 표시하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 센서를 가지는 LED칩
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 MQW에피층을 포함하는 반도체층을 적층하는 단계; 상기 반도체층에 둘 이상의 LED셀을 형성하는 단계: 상기 LED셀과 기판 상에 절연막을 형성한 후, n형 전극 부분과 p형 전극에 해당하는 영역을 전기적으로 독립시키기 위해서 둘 이상의 n형전극패드와 둘 이상의 p형전극패드, n형횡단전극이 형성될 부분의 실리콘 옥사이드를 식각하는 단계; 상기 LED셀 사이를 가로질러 횡단하는 브릿지형태의 PR패턴을 형성하는 단계;상기 PR패턴을 덮는 메탈브릿지형태의 n형 전극패드간을 연결하는 연결부형성단계;상기 브릿지형태의 PR이 제거되어 하이브리드센서를 형성하는 단계;를 포함하는 하이브리드 센서를 가지는 LED칩의 제작방법
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제10항에 있어서,상기 연결부형성단계가 상기 메탈브릿지가 마스크에 의해 형성되는 증착단계;인 것을 특징으로 하이브리드 센서를 가지는 LED칩의 제작방법
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12
제10항에 있어서, 상기 연결부형성단계가 상기 n형 전극패드간 연결부용 메탈이 형성되는 증착단계;와상기 증착된 메탈이 상기 브릿지형태의 PR상에 브릿지형태로 형성되는 포토리소그래피 단계;를 포함하며, 상기 브릿지형태의 PR이 상기 포토리소그래피 공정 중에 제거되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 센서를 가지는 LED칩의 제작방법
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제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 p형전극패드와 n형전극패드의 높이를 상기 메탈브릿지보다 높게 하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 센서를 가지는 LED칩의 제작방법
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