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반도체 소자용 삼원계 비정질 이리듐 박막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015227438
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 두께가 0.1 내지 1.0 nm 인 이리듐층과, 상기 이리듐층의 상부에 두께가 0.1 내지 1.0 nm 인 이원계 금속질화물층이 교대로 적층되고, 박막의 비저항이 500μΩ·cm 이하인 반도체 소자용 비정질 삼원계 이리듐 박막을 개시한다. 본 발명에 의하면, 다결정구조를 가지는 Ir과, TiN 또는 TaN 박막을 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 슈퍼사이클을 통해 Ir 및 TiN 또는 TaN 각층의 두께가 1nm 이하로 혼합 또는 적층함으로써, 서로 다른 원자크기와 결정구조를 가지는 두 박막이 서로의 결정성장을 방해하여 비정질 구조를 갖는 이리듐 박막을 얻을 수 있고, 형성된 삼원계 이리듐 박막의 비저항은 Ir과 금속질화물의 조성비로서 조절이 가능하다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/203 (2006.01)
CPC H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01)
출원번호/일자 1020100033087 (2010.04.12)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1145726-0000 (2012.05.07)
공개번호/일자 10-2011-0113803 (2011.10.19) 문서열기
공고번호/일자 (20120516) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.12)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권세훈 대한민국 경기도 군포시 용호*로 **, 주공아파트 *
2 정영근 대한민국 부산광역시 동래구
3 강명창 대한민국 부산광역시 금정구
4 신유리 대한민국 충청남도 부여군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성현 대한민국 부산광역시 연제구 중앙대로 ****, *층 (거제동)(아너스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0229613-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0042680-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0466085-85
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0817074-70
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0817111-72
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0191460-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
두께가 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 이리듐 소스의 전구체는 Ir(1,5-COD)(acac), Ir(CH3C5H4)(COD), 및 Ir(C7H8)(acac)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 비정질 삼원계 이리듐 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 이원계 금속질화물층을 형성하는 단계는,금속질화물층을 형성하기 위한 금속소스 전구체를 주입하여 흡착시키는 단계;퍼지가스를 주입하는 단계;제2 반응가스를 주입하면서 플라즈마를 발생시켜 흡착된 상기 금속소스 전구체의 리간드를 제거함으로써 이원계 질화물층을 형성하는 단계; 및퍼지가스를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 비정질 삼원계 이리듐 박막의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 금속소스는 TiCl4, TiI4, TDMAT, TDEAT, 및 TEMAT 중에서 선택된 Ti소스; TaCl5, TaBr5, TaF5, TBTDET, PEMAT, PDMAT, PDEAT, 및 TAIMATA 중에서 선택된 Ta소스; Zr[N(C2H5)2]4 및 Zr[N(CH3)2]4 중에서 선택된 Zr소스; Si[N(CH3)2]4 및 [(CH3)2N]3SiH 중에서 선택된 Si소스; WF6 및 W(CO)6 중에서 선택된 W소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 비정질 삼원계 이리듐 박막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 반응가스는 NH3, N2, H2, Ar 및 이들의 혼합가스 중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 비정질 삼원계 이리듐 박막의 제조방법
6 6
제3항에 있어서, 상기 제2 반응가스는 NH3, N2, H2, Ar 및 이들의 혼합가스 중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 비정질 삼원계 이리듐 박막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 박막의 이리듐 성분은 40 내지 80 at%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 비정질 삼원계 이리듐 박막의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 박막은 Ir, Ti, N으로 구성되고, Ir은 40 ~ 80 at%, Ti는 10 ~ 30 at%, N은 10 ~ 30 at%의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 비정질 삼원계 이리듐 박막의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 박막은 Ir, Ta, N으로 구성되고, Ir은 40 ~ 80 at%, Ta는 10 ~ 30 at%, N은 10 ~ 50 at%의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 비정질 삼원계 이리듐 박막의 제조방법
10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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16 16
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17 17
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18 18
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패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 / 교육과학기술부 한국생산기술연구소 / 부산대학교 산학협력단 소재원천기술개발사업 / 국가핵심연구센터 원자/나노 복합구조 제어에 의한 다기능성 전자저항막 기술 / 신기능 하이브리드 표면소재 응용연구