요약 | 화학식 1의 이리듐 착물 착물 및 이를 포함한 유기 발광 소자가 개시된다. 화학식 1에 대한 설명은 발명의 상세한 설명을 참고한다. |
---|---|
Int. CL | C07F 15/00 (2006.01.01) C09K 11/06 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) |
CPC | H01L 51/0085(2013.01) H01L 51/0085(2013.01) H01L 51/0085(2013.01) H01L 51/0085(2013.01) H01L 51/0085(2013.01) H01L 51/0085(2013.01) H01L 51/0085(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020130067327 (2013.06.12) |
출원인 | 삼성디스플레이 주식회사, 부산대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-2086554-0000 (2020.03.03) |
공개번호/일자 | 10-2014-0144999 (2014.12.22) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20200310) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2018.06.12) |
심사청구항수 | 20 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 삼성디스플레이 주식회사 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
2 | 부산대학교 산학협력단 | 대한민국 | 부산광역시 금정구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김성욱 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
2 | 김재홍 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
3 | 김명숙 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
4 | 이문재 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
5 | 진성호 | 대한민국 | 부산광역시 금정구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 삼성디스플레이 주식회사 | 경기 용인시 기흥구 | |
2 | 부산대학교 산학협력단 | 부산광역시 금정구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.06.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0522802-41 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0000027-56 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5104722-59 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2016.01.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5004891-78 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5004005-98 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5004797-18 |
7 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2018.06.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0577870-96 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5016605-77 |
9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2019.10.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0731477-16 |
10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2019.12.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2019-1276403-29 |
11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2019.12.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-1276401-38 |
12 | 등록결정서 Decision to grant |
2019.12.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0914882-86 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 하기 화학식 1로 표시되는 이리듐 착물:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1 중, R1 내지 R8 및 R21 내지 R28은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴기, 및 -N(Q1)(Q2) (여기서, Q1 내지 Q6은 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴기임); 중에서 선택되고;n은 1 또는 2 이고,선택적으로 R5 내지 R8 중 2 이상의 치환기들은 결합하여 고리를 형성하며,상기 치환된 C1-C60 알킬기, 치환된 C2-C60 알케닐기, 치환된 C2-C60 알키닐기, 치환된 C1-C60 알콕시기, 치환된 C3-C10 시클로알킬기, 치환된 C6-C30 아릴기, 치환된 C6-C30 아릴옥시기, 치환된 C6-C30 아릴싸이오기, 치환된 C2-C30 헤테로아릴기의 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 16의 아릴기, 또는 탄소수 2 내지 16의 헤테로아릴기로 치환될 수 있다 |
2 |
2 제 1 항에 있어서, R6은 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 또는 할로겐기로 치환된 C1-C60 알킬기인 이리듐 착물 |
3 |
3 제 1 항에 있어서, R1 내지 R4, R5, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소 또는 중수소인 이리듐 착물 |
4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 화학식 1이 하기 화학식 2로 표시되는 이리듐 착물:003c#화학식 2003e#상기 화학식 2에서 치환기들 및 기호에 대한 정의는 제1항에서와 같다 |
5 |
5 제 1 항에 있어서,R22 및 R24는 할로겐기인 이리듐 착물 |
6 |
6 제 5 항에 있어서,R22 및 R24는 -F 인 이리듐 착물 |
7 |
7 제 1 항에 있어서,R23 및 R26은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 니트로기, 시아노기, 할로겐기로 치환된 C1-C60 알킬기, 비치환 C1-C60 알킬기, 또는 N(Q1)(Q2) (여기서, Q1 내지 Q6은 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴기임)이며,상기 치환된 C1-C60 알킬기, 치환된 C6-C30 아릴기, 치환된 C2-C30 헤테로아릴기의 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 탄소수 6 내지 16의 아릴기, 또는 탄소수 2 내지 16의 헤테로아릴기로 치환될 수 있는 이리듐 착물 |
8 |
8 제 1 항에 있어서, R21, R25, R27 및 R28 은 각각 독립적으로 수소 또는 중수소인 이리듐 착물 |
9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 화학식 1의 화합물이 하기 화합물들 중 어느 하나인 이리듐 착물: |
10 |
10 제 1 전극; 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 개재된 유기층을 구비한 유기 발광 소자로서, 상기 유기층이 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 이리듐 착물을 포함하는 유기 발광 소자 |
11 |
11 제 10 항에 있어서,상기 유기층이 발광층인 유기 발광 소자 |
12 |
12 제 10 항에 있어서,상기 유기층이 녹색 내지 청색 인광 발광층이고, 상기 이리듐 착물이 인광 도펀트로 사용되는 유기 발광 소자 |
13 |
13 제 10 항에 있어서,상기 유기층이 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 및 정공 수송기능을 동시에 갖는 기능층, 전자 주입층, 전자 수송층, 또는 전자 주입 및 전자 수송기능을 동시에 갖는 기능층을 포함하고, 상기 발광층은 제 1 항의 이리듐 착물을 포함하며, 상기 발광층은 안트라센계 화합물, 아릴아민계 화합물 또는 스티릴계 화합물을 더 포함하는 유기 발광 소자 |
14 |
14 제 10 항에 있어서,상기 유기층이 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 또는 정공 주입 및 정공 수송기능을 동시에 갖는 기능층을 포함하고, 상기 발광층의 녹색층 내지 청색층은 제 1 항의 이리듐 착물을 포함하며, 상기 발광층의 적색층, 또는 흰색층의 어느 한 층은 인광 화합물을 포함하는 유기 발광 소자 |
15 |
15 제 14 항에 있어서,상기 정공 주입층, 정공 수송층, 또는 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층이 전하 생성 물질을 포함하는 유기 발광 소자 |
16 |
16 제 15 항에 있어서,상기 전하 생성 물질이 p-도펀트인 유기 발광 소자 |
17 |
17 제 16 항에 있어서,상기 p-도펀트가 퀴논 유도체, 금속 산화물, 또는 시아노기-함유 화합물인 유기 발광 소자 |
18 |
18 제 10 항에 있어서,상기 유기층이 발광층, 전자 주입층, 전자 수송층, 또는 전자 주입 및 전자 수송기능을 동시에 갖는 기능층을 포함하고, 상기 발광층은 제 1 항의 이리듐 착물을 포함하며, 상기 전자 주입층, 전자 수송층, 또는 전자 주입 및 전자 수송기능을 동시에 갖는 기능층이 전자 수송성 유기 화합물 및 금속 착체를 포함하는 유기 발광 소자 |
19 |
19 제 10 항에 있어서,상기 유기층이 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 이리듐 착물을 사용하여 습식 공정으로 형성되는 유기 발광 소자 |
20 |
20 제 10 항의 유기 발광 소자를 구비하고, 상기 유기 발광 소자의 제 1 전극이 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결된 평판 표시 장치 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US09490435 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20140367647 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2014367647 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US9490435 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-2086554-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20130612 출원 번호 : 1020130067327 공고 연월일 : 20200310 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20191218 청구범위의 항수 : 20 유별 : C07F 15/00 발명의 명칭 : 이리듐 착물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구... |
1 |
(권리자) 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 815,000 원 | 2020년 03월 04일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.06.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0522802-41 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0000027-56 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5104722-59 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2016.01.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5004891-78 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5004005-98 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5004797-18 |
7 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2018.06.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0577870-96 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5016605-77 |
9 | 의견제출통지서 | 2019.10.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0731477-16 |
10 | [명세서등 보정]보정서 | 2019.12.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2019-1276403-29 |
11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2019.12.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-1276401-38 |
12 | 등록결정서 | 2019.12.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0914882-86 |
기술번호 | KST2015227735 |
---|---|
자료제공기관 | 기관 |
기술공급기관 | 부산대학교 |
기술명 | 이리듐 착물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
기술개요 |
화학식 1의 이리듐 착물 착물 및 이를 포함한 유기 발광 소자가 개시된다. 화학식 1에 대한 설명은 발명의 상세한 설명을 참고한다. |
개발상태 | 응용 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 32.전자부품,영상,음향및통신장비제조업?/?반도체및기타전자부품제조업?/?기타전자부품제조업?/?그외기타전자부품제조업 ? |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1711001233 |
---|---|
세부과제번호 | 2011-0028320 |
연구과제명 | 용액공정이 가능한 유기발광다이오드용 인광소재 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201109~201608 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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