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금속 반도체 하이브리드 나노입자기반 전광 증폭 편광 변조기

  • 기술번호 : KST2015227751
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 나노입자의 엑시톤 에너지와 공명을 이룰 수 있는 적당한 크기의 금속나노입자를 근처에 위치시켜 비선형성을 보다 향상시켜 성능을 높일 수 있도록 한 금속 반도체 하이브리드 나노입자기반 전광 증폭 편광 변조기에 관한 것으로, 어느 하나의 중심점을 기준으로 x방향과 z방향으로 금속 나노 입자들이 배열되는 금속층;상기 금속층을 구성하는 금속 나노 입자들에 각각 대응하여 고분자 연결끈으로 나노 입자들에 부착되는 반도체 나노 입자들;을 포함하고,상부에서 x방향으로 편광되어 펌핑(pumping) 빛이 금속층으로 입사되어 반도체 나노 입자들 내 엑시톤의 비선형성을 유도하고 동시에 금속층의 국소표면플라즈몬의 발생시켜 비선형성을 높이고, x방향에 대해 45도 기울어진 입사 신호광이 금속층으로 들어가면 z방향으로 신호광이 표면을 따라 진행하여 증폭 및 변조되는 것이다.
Int. CL G02B 26/02 (2006.01) H04B 10/532 (2013.01) B82Y 20/00 (2011.01) G02B 6/00 (2006.01)
CPC G02B 26/101(2013.01) G02B 26/101(2013.01) G02B 26/101(2013.01) G02B 26/101(2013.01) G02B 26/101(2013.01)
출원번호/일자 1020130078442 (2013.07.04)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1475370-0000 (2014.12.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.04)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광석 대한민국 부산 금정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정기택 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)
2 오위환 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0603673-70
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.03.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2014-0032253-68
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0438868-20
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0804607-15
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0804548-19
8 등록결정서
Decision to grant
2014.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0846263-22
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1265333-91
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
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번호 청구항
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어느 하나의 중심점을 기준으로 x방향과 z방향으로 금속 나노 입자들이 배열되는 금속층;상기 금속층을 구성하는 금속 나노 입자들에 각각 대응하여 고분자 연결끈으로 금속 나노 입자들에 부착되는 반도체 나노 입자들;을 포함하고,상부에서 x방향으로 편광되어 펌핑(pumping) 빛이 금속층으로 입사되어 반도체 나노 입자들 내 엑시톤의 비선형성을 유도하고 동시에 금속층의 국소표면플라즈몬의 발생시켜 비선형성을 높이고,x방향에 대해 45도 기울어진 입사 신호광이 금속층으로 들어가면 z방향으로 신호광이 표면을 따라 진행하여 증폭 및 편광 위상 변조되고,상기 금속 나노 입자들에 각각 대응하여 고분자 연결끈으로 금속 나노 입자들에 부착되는 반도체 나노 입자들의 부착거리는, 금속층과 반도체층 사이에 양자역학적 터널링 현상으로 인해 전자가 직접 이동하는 상태가 되지 않는 거리인 것을 특징으로 하는 금속 반도체 하이브리드 나노입자기반 전광 증폭 편광 변조기
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노 입자는 CdSe/ZnS 나노입자를 사용하고 금속 나노 입자는 금(Au) 나노입자를 사용하여,반경 3nm CdSe/ZnS 나노입자의 엑시톤 준위와 반경 100nm 금 나노입자의 국소표면플라즈몬 에너지 준위가 서로 공명할 수 있도록 구성하는 것을 특징으로 하는 금속 반도체 하이브리드 나노입자기반 전광 증폭 편광 변조기
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 나노 입자들에 각각 대응하여 고분자 연결끈으로 금속 나노 입자들에 부착되는 반도체 나노 입자들의 부착거리는 10nm인 것을 특징으로 하는 금속 반도체 하이브리드 나노입자기반 전광 증폭 편광 변조기
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제 1 항에 있어서, 전광 증폭 편광 변조기의 위상 변조값은,반도체 나노 입자내에 발생된 엑시톤에 의해 결정되는 굴절률의 변화를 결정짓는 여기광의 세기와, 신호광의 진행길이에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 금속 반도체 하이브리드 나노입자기반 전광 증폭 편광 변조기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 부산대학교 산학협력단 미래유망 융합기술 파이오니어사업 Fiber OLED용 고효율 소재개발 및 특성평가