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박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015227889
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일면에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법은 하부 기판 상에 도전부를 형성하는 단계와, 도전부 상에 HfO2와 Al2O3를 함께 증착하여 절연막을 형성하는 단계와, 도전부와 절연되도록 절연막 상에 활성층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC H01L 29/66742(2013.01) H01L 29/66742(2013.01) H01L 29/66742(2013.01) H01L 29/66742(2013.01)
출원번호/일자 1020110000869 (2011.01.05)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1231724-0000 (2013.02.04)
공개번호/일자 10-2012-0079602 (2012.07.13) 문서열기
공고번호/일자 (20130208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.05)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이문석 대한민국 부산광역시 금정구
2 손희근 대한민국 부산광역시 금정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정인규 대한민국 부산광역시 해운대구 센텀중앙로 **, ****호(우동) 에이스하에테크** **층(부산에이스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0007237-94
2 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee		 2011.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0009393-44
3 수수료 사후 감면안내서
Notification of Follow-up Reduction of Official Fee		 2011.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0001956-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0770706-38
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0151643-41
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0151636-21
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0494130-88
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0867877-66
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0867857-53
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0063548-06
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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하부 기판 상에 도전부를 형성하는 단계;상기 도전부 상에 HfO2와 Al2O3를 함께 증착하여 절연막을 형성하는 단계;상기 도전부와 절연되도록 상기 절연막 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 도전부와 전기적으로 연결되며, 상기 활성층과는 절연되도록 도전부 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 활성층을 사이에 두고 서로 분리되며, 상기 활성층과 접촉되도록 상기 절연막 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 절연막을 형성하는 단계는,코스퍼터링(Co-sputtering)법에 따라 상기 HfO2와 상기 Al2O3를 함께 증착하여 상기 절연막을 형성하는 단계이며,상기 코-스퍼터링법에 따른 증착에 있어서, 스퍼터링 가스로 아르곤 가스를 이용하고, 반응 가스로 산소를 이용하되, 상기 아르곤 가스 및 상기 산소의 분압 비율은 Ar:O2=20:0
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3 3
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하부 기판;상기 하부 기판 상에 형성되는 도전부; 상기 도전부 상에 HfO2와 Al2O3가 함께 증착되어 형성되는 절연막;을 포함하여 구성되며,상기 도전부는,절연막 상에 형성되는 활성층;상기 활성층의 채널 영역에 대응되는 영역을 가지도록 상기 도전부 상에 형성되는 게이트 전극; 상기 활성층을 사이에 두고 서로 분리되며 상기 절연막 상에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하여 구성되되,상기 도전부는,ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 산학협력단 일반연구자지원사업(기본연구지원사업-유형1) Roll-to-Roll Sputter 공정을 적용한 oxide-TFT의 제작 및 AMOLED Back-plane 적용에 관한 연구