요약 | 기판; 상기 기판의 상부에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극의 상부에 형성된 절연층; 상기 절연층 상부에 형성되고 인듐(In), 알루미늄(Al), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하는 IAZO 박막으로서, 상기 알루미늄(Al)의 함량이 0.1 내지 10 중량%인 채널층; 및 상기 채널층 상부에 형성된 소오스/드레인 전극;을 포함하는 투명 박막 트랜지스터를 개시한다. 본 발명에 따르면, 가격이 저렴하면서도 널리 존재하는 알루미늄을 박막 트랜지스터의 채널층에 도핑하여 IAZO층을 형성함으로써 투명하면서도 소자특성이 우수하며, 기존의 IGZO에서 고가의 갈륨(Ga)를 대체할 수 있어 제조비용을 낮출 수 있다는 장점이 있다. 또한 스퍼터링 공법 하나로 공정이 가능하여 공정의 간소화할 수 있으며, 연속 공정이 가능하여 대량생산에 가능하고 모든 공정이 상온에서 가능하여 비용절감 및 에너지 절약 측면에서도 유리하다. |
---|---|
Int. CL | H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01) |
CPC | H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110104399 (2011.10.13) |
출원인 | 부산대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1299952-0000 (2013.08.20) |
공개번호/일자 | 10-2013-0039815 (2013.04.23) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130826) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.10.13) |
심사청구항수 | 10 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 부산대학교 산학협력단 | 대한민국 | 부산광역시 금정구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 송풍근 | 대한민국 | 부산광역시 해운대구 |
2 | 방준호 | 대한민국 | 부산광역시 서구 |
3 | 정재헌 | 대한민국 | 부산광역시 부산진구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김성현 | 대한민국 | 부산광역시 연제구 중앙대로 ****, *층 (거제동)(아너스특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 부산대학교 산학협력단 | 부산광역시 금정구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.10.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0799343-34 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.10.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.11.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0085003-12 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.12.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0735899-00 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.02.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0105165-40 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.02.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0105166-96 |
7 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2013.05.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0371708-06 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.06.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0584283-86 |
9 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2013.06.28 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2013-0584308-39 |
10 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2013.07.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0516075-15 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0000027-56 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2016.01.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5004891-78 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5004005-98 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5004797-18 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판;상기 기판의 상부에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극의 상부에 형성된 절연층;상기 절연층 상부에 형성되고 인듐(In), 알루미늄(Al), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하는 IAZO 박막으로서, 상기 알루미늄(Al)의 함량이 0 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 제1항에 있어서,상기 채널층은 인듐(In), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 및 산소(O)로 이루어진 군으로부터 선택된 단일 소결체 타겟을 사용하거나, 또는 상기 단일 소결체 타겟이 2개 이상 조합된 복합 소결체 타겟을 사용하여 스퍼터링(sputtering)법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터 |
5 |
5 제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 Pt, Al, Au, Cu, Cr, Ni, Ru, Mo, V, Zr, Ti, W, 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 ITO, IZO, NiO, Ag2O, In2O3-Ag2O, CuAlO2, SrCu2O2 및 Zr으로 도핑된 ZnO으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터 |
6 |
6 제1항에 있어서,상기 절연층은 이트륨산화물, 폴리테트라플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌/퍼플루오로(알킬 비닐에테르)공중합체, 테트라플루오로에틸렌/헥사플루오로프로필렌 공중합체, 퍼플루오로페닐렌, 퍼플루오로비페닐렌, 퍼플루오로나프타닐렌, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌, 및 폴리(비닐리덴 플루오라이드)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터 |
7 |
7 제1항에 있어서,상기 소오스/드레인 전극은 Pt, Al, Au, Cu, Cr, Ni, Ru, Mo, V, Zr, Ti, W, 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종이거나, 또는 ITO(Indium tin oxide), AZO(Al-doped ZnO), IZO(Indium zinc oxide), FTO(F-doped SnO2), GZO(Ga-doped ZnO), ZTO(zinc tin oxide), GIO(gallium indium oxide), ZnO, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종의 투명 전극인 것인 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터 |
8 |
8 제1항에 있어서,상기 트랜지스터의 포화영역 이동도(saturation mobility)는 4cm2/Vs 이상인 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터 |
9 |
9 기판;상기 기판의 상부에 형성된 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극의 상부에 형성되고 인듐(In), 알루미늄(Al), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하는 IAZO 박막으로서, 상기 알루미늄(Al)의 함량이 0 |
10 |
10 기판을 형성하는 단계;상기 기판의 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 상부에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상부에 인듐(In), 알루미늄(Al), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하는 IAZO 박막으로서, 상기 알루미늄(Al)의 함량이 0 |
11 |
11 기판을 형성하는 단계;상기 기판의 상부에 형성된 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스/드레인 전극의 상부에 형성되고 인듐(In), 알루미늄(Al), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하는 IAZO 박막으로서, 상기 알루미늄(Al)의 함량이 0 |
12 |
12 제1항, 제4 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 투명 박막 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1299952-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20111013 출원 번호 : 1020110104399 공고 연월일 : 20130826 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130726 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : In-Al-Zn-O 박막을 이용한 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20180821 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 217,500 원 | 2013년 08월 21일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2016년 08월 05일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2017년 08월 04일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.10.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0799343-34 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.10.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2012.11.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0085003-12 |
4 | 의견제출통지서 | 2012.12.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0735899-00 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.02.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0105165-40 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.02.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0105166-96 |
7 | 거절결정서 | 2013.05.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0371708-06 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.06.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0584283-86 |
9 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2013.06.28 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2013-0584308-39 |
10 | 등록결정서 | 2013.07.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0516075-15 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0000027-56 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2016.01.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5004891-78 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5004005-98 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5004797-18 |
기술번호 | KST2015228025 |
---|---|
자료제공기관 | 기관 |
기술공급기관 | 부산대학교 |
기술명 | In-AI-Zn-O 박막을 이용한 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
기술개요 |
기판; 상기 기판의 상부에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극의 상부에 형성된 절연층; 상기 절연층 상부에 형성되고 인듐(In), 알루미늄(Al), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하는 IAZO 박막으로서, 상기 알루미늄(Al)의 함량이 0.1 내지 10 중량%인 채널층; 및 상기 채널층 상부에 형성된 소오스/드레인 전극;을 포함하는 투명 박막 트랜지스터를 개시한다. 본 발명에 따르면, 가격이 저렴하면서도 널리 존재하는 알루미늄을 박막 트랜지스터의 채널층에 도핑하여 IAZO층을 형성함으로써 투명하면서도 소자특성이 우수하며, 기존의 IGZO에서 고가의 갈륨(Ga)를 대체할 수 있어 제조비용을 낮출 수 있다는 장점이 있다. 또한 스퍼터링 공법 하나로 공정이 가능하여 공정의 간소화할 수 있으며, 연속 공정이 가능하여 대량생산에 가능하고 모든 공정이 상온에서 가능하여 비용절감 및 에너지 절약 측면에서도 유리하다. |
개발상태 | 응용 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 32.전자부품,영상,음향및통신장비제조업?/?반도체및기타전자부품제조업?/?반도체및집적회로제조업?/?다이오드,트랜지스터및유사반도체제조업 ? |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1415131598 |
---|---|
세부과제번호 | 10039263 |
연구과제명 | 윈도우 일체형 30인치급 터치센서 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201105~201502 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415134151 |
---|---|
세부과제번호 | KIAT-region-0005 |
연구과제명 | 60인치 이상 정전용량방식 및 광학방식 멀티터치 기술개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 산업통상자원부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201209~201608 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1711008495 |
---|---|
세부과제번호 | PNK3220 |
연구과제명 | 저투습저반사 산화물 보호막 제조 기술 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201201~201412 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345149281 |
---|---|
세부과제번호 | 2006-0051992 |
연구과제명 | 신기능 하이브리드 표면소재 응용연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 부산대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200606~201302 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415116266 |
---|---|
세부과제번호 | 10039263 |
연구과제명 | 윈도우 일체형 30인치급 터치센서 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201105~201502 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
[1020140097643] | 버스트 모드에서 고속으로 외란 광을 제거할 수 있는 TIA(TIA for Fast Disturbed Light Elimination on Burst Mode) | 새창보기 |
---|---|---|
[1020130165360] | 스퍼터링 장치 | 새창보기 |
[1020130159217] | 정전용량방식 터치스크린패널 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[1020130149341] | 화학강화유리 제조용 질산칼륨 용융액의 균질화 처리 장치 및 그 처리 방법 | 새창보기 |
[1020130134153] | 정전용량의 변화를 이용하여 접촉 위치 및 힘 측정의 인식 감도가 개선된 정전용량형 터치 패널 및 그 측정방법 | 새창보기 |
[1020130117387] | 유리의 화학강화 과정에서의 칼륨 이온 함유 용융액 교체시기 예측 장치 및 방법 | 새창보기 |
[1020130091998] | 터치 스크린 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020130089016] | RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 ITO:Ce 초박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 터치 패널 | 새창보기 |
[1020130089016] | RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 ITO:Ce 초박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 터치 패널 | 새창보기 |
[1020130072614] | 전자기장을 이용한 터치 센서용 고품질 ITO 초박막 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[1020130072614] | 전자기장을 이용한 터치 센서용 고품질 ITO 초박막 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[1020130050729] | 터치 스크린 패널 및 터치 스크린 패널을 포함하는 디스플레이 | 새창보기 |
[1020130045546] | 멀티터치에 따른 접촉위치 및 접촉 힘을 감지하는 센서 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020130045545] | 멀티터치에 따른 근접, 접촉위치 및 접촉힘을 감지하는 센서 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020130045544] | 멀티터치에 따른 근접, 접촉위치 및 접촉힘의 인식 감도를 향상시킨 정전용량형 터치 패널, 그 측정방법 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020120027763] | 보호층이 구비된 반사 방지 기판 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020120027739] | 지문방지 특성이 구비된 방사 방지 기판 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020120027728] | 양면 반사 방지 기판 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020110137764] | MAX 상 박막의 제조방법 | 새창보기 |
[1020110126283] | 태양전지 모듈 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[1020110126282] | 다층 박막 증착 장치 | 새창보기 |
[1020110126267] | 태양전지 모듈의 제조방법 | 새창보기 |
[1020110117145] | 접촉위치와 누름힘 측정용 터치입력구조 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020110112170] | 신축성 촉각센서를 구비한 유연 터치패널, 신축성 촉각센서 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020110104399] | In-AI-Zn-O 박막을 이용한 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[1020110104399] | In-AI-Zn-O 박막을 이용한 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[1020110050675] | 친액성과 소액성을 이용한 마찰 감소장치 및 마찰 감소방법 | 새창보기 |
[1020110050675] | 친액성과 소액성을 이용한 마찰 감소장치 및 마찰 감소방법 | 새창보기 |
[1020110044837] | 극초단 펄스 레이저를 응용한 고종횡비 미세 형상 가공 장치 | 새창보기 |
[1020110044833] | 진동자를 이용한 하이브리드 레이저 가공 장치 | 새창보기 |
[1020110044829] | 레이저 가공 기술을 이용한 기판 상 박막의 선택적 제거 장치 | 새창보기 |
[1020110039616] | 자성을 이용한 가변몰드 제작방법 및 이를 이용한 패턴 형성방법 | 새창보기 |
[1020090056693] | 인공심장용 긴급신호 발신장치 및 이를 이용한 인공심장용 긴급신호 발신방법 | 새창보기 |
[1020090026302] | 초음파 진동을 사용하는 하이브리드 레이저 가공 장치 | 새창보기 |
[1020090026302] | 초음파 진동을 사용하는 하이브리드 레이저 가공 장치 | 새창보기 |
[1020080129869] | 은이 도핑된 투명 주석산화막의 제조방법 | 새창보기 |
[1020080129686] | 터치 패널 필름 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2017004303][부산대학교] | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2017004020][부산대학교] | 인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2017004634][부산대학교] | PDMS 패시베이션층을 적용한 알루미늄-인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 알루미늄-인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2017004450][부산대학교] | 산화물 박막트랜지스터 소자 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014060669][부산대학교] | 산화물 박막트랜지스터 소자 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2017004964][부산대학교] | 인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2015000316][부산대학교] | 인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2017004820][부산대학교] | 게르마늄이 도핑된 InZnO 활성층을 적용한 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015227889][부산대학교] | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2014060674][부산대학교] | Co-sputter 된 HfO2-Al2O3 게이트 절연막을 이용한 산화물박막트랜지스터 소자의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015227665][부산대학교] | 인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2017004442][부산대학교] | In-AI-Zn-O 박막을 이용한 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015228207][부산대학교] | PDMS 패시베이션층을 적용한 알루미늄-인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 알루미늄-인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2015228033][부산대학교] | 산화물 박막트랜지스터 소자 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
---|