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하기 화학식 1로 표시되고,[화학식 1]상기 화학식 1은 다음의 A 내지 D 중 하나의 식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 고분자: A : B : C : , 또는D : 상기 식에서,Ar은 전자주게 방향족 화합물로서, 싸이클로펜타다이싸이오펜 또는 카바졸이고, R1 및 R2는 각각 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 가지형 알킬기이고, n은 1 내지 1,000의 정수이다
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제1항에 있어서, 상기 고분자의 질량평균분자량이 5,000 내지 100,000인 것을 특징으로 하는 고분자
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제1항에 있어서,상기 A는 다음의 식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 고분자:, ,, ,, ,, ,, ,, 또는 n은 상기 정의한 바와 같다
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제1항에 있어서,상기 B는 다음의 식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 고분자:, ,, ,, ,, ,, ,, ,, 또는 n은 상기 정의한 바와 같다
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제1항에 있어서, 상기 C는 다음의 식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 고분자:, ,, ,, ,, ,, ,, 또는 n은 상기 정의한 바와 같다
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하기 화학식 2로 표시되고, [화학식 2]상기 화학식 2는 다음의 화학식 3으로 표시되는 것을 특징으로 하는 고분자: [화학식 3]상기 식에서,Ar은 전자주게 방향족 화합물로서, 싸이클로펜타다이싸이오펜 또는 카바졸이고, R1 및 R2는 각각 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 가지형 알킬기이고, n은 1 내지 1,000의 정수이다
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제7항에 있어서, 상기 고분자의 질량평균분자량이 5,000 내지 100,000인 것을 특징으로 하는 고분자
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삭제
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10
제7항에 있어서,상기 화학식 3은 다음의 식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 고분자:, ,, ,, ,, , ,,또는 n은 상기 정의한 바와 같다
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11
기판 상부에 반투명 전극, 정공 수송층, 고분자 발광층 및 금속 전극을 순차적으로 형성하되, 상기 고분자 발광층은 제1항, 제2항, 제4항 내지 제8항 및 제10항 중 어느 한 항에 의한 고분자로 형성된 것을 특징으로 한 전기 발광 소자
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12
제11항에 있어서, 상기 기판은 유리 또는 플라스틱인 것을 특징으로 하는 전기 발광 소자
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제1항, 제2항, 제4항 내지 제8항 및 제10항 중 어느 한 항에 따른 고분자를 사용한 광 에너지 변환소자
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