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시료를 장착하는 시료 장착부;상기 시료에 에너지를 띠 모양으로 인가하는 에너지 인가부;상기 띠 모양의 에너지의 길이를 조절하는 띠 길이 조절부; 및상기 시료에서 방출된 광의 자연 증폭 방출(ASE; amplified spontaneous emission) 스펙트럼을 분석하여, 파장, 에너지 띠 길이, 및 모드 이득(MODAL GAIN) 으로 구성된 컨투어 맵을 생성하는 시료특성 측정부를 포함하며,상기 시료특성 측정부는, ASE 신호에 대한 추론(extrapolating)을 수행하여 실제 시료에 여기 된 띠가 없는 지점(x=0)을 구하고, 띠 길이 내 비균질성 측정을 통하여 모드 이득값을 보정하는 것을 특징으로 하는 광학적 모드이득 특성 측정 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 시료특성 측정부의 띠 길이 내 비균질성 측정은,나이프 에지(knife-edge) 방법을 사용하여 샘플을 제거한 후 동일한 광학배열 조건하에서 샘플에 주입되는 광의 세기를 빔블락을 움직여 띠길이 x만을 조절하여 포토다이오드로 측정하는 것을 특징으로 하는 광학적 모드이득 특성 측정 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 시료특성 측정부의 띠 길이 내 비균질성 측정에 따른 보정된 모드 이득값은, 이고,여기서, 는 모드 이득, 는 ASE 세기, 는 ASE 세기를 에너지 띠 길이에 대하여 미분한 값, 는 자발발광밀도(띠길이=0인 경우 결과값)이고, 는 최대치를 1로 기준으로 하는 정규화된 비균질분포인 것을 특징으로 하는 광학적 모드이득 특성 측정 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 실제 시료에 여기 된 띠가 없는 지점(x=0)을 구하여 진행되는 자발발광 밀도와 모드 구속 측정은,으로 나타내고, 여기서, 는 모드 이득, 는 ASE 세기, 는 ASE 세기를 에너지 띠 길이에 대하여 미분한 값, 는 자발발광밀도(띠길이=0인 경우 결과값)이고,실제 시료에 여기 된 띠가 없는 지점(x=0)에서의 기울기 값이 인 것을 특징으로 하는 광학적 모드이득 특성 측정 장치
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띠 모양의 에너지를 시료에 주입하는 단계;광 수집부에서 상기 시료로부터 방출된 광을 수집하는 단계;수집된 광으로부터 파장별 에너지 띠 길이 및 ASE 세기를 포함하는 ASE 스펙트럼을 분석하여 파장별 모드 이득을 계산하는 단계;를 포함하고,ASE 신호에 대한 추론(extrapolating)을 수행하여 실제 시료에 여기 된 띠가 없는 지점(x=0)을 구하고, 띠 길이 내 비균질성 측정을 통하여 모드 이득값을 보정하는 것을 특징으로 하는 광학적 모드이득 특성 측정 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 띠 길이 내 비균질성 측정을 통하여 모드 이득값을 보정하기 위하여,나이프 에지(knife-edge) 방법을 사용하여 샘플을 제거한 후 동일한 광학배열 조건하에서 샘플에 주입되는 광의 세기를 빔블락을 움직여 띠길이 x만을 조절하여 포토다이오드로 측정하는 것을 특징으로 하는 광학적 모드이득 특성 측정 방법
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