| 1 |
1
유연성을 가지는 투명 기판:상기 투명 기판의 상부에 형성되되 고주파 스퍼터링 방식 또는 직류 스퍼터링 방식으로 증착된 후 언더컷 형태의 과다 습식 식각을 통해 나노사이즈의 선폭을 가지는 벌집 모양 패턴의 단결정 구리 전극층; 및상기 단결정 구리 전극층의 상부에 형성되는 금속 산화물층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 투명전극
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 투명 기판은, 폴리이미드 기판 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 기판으로 구성되는 것을 특징으로 하는 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 투명전극
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 단결정 구리 전극층은, 30~150㎚ 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 투명전극
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 금속 산화물은,산화아연(ZnO) 또는 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)의 화합물인 것을 특징으로 하는 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 투명전극
|
| 5 |
5
유연성을 가지는 투명 기판의 상부에 단결정 구리를 고주파 스퍼터링 방식 또는 직류 스퍼터링 방식으로 증착시켜 단결정 구리 박막을 형성하는 제1단계;상기 투명 기판에 형성된 단결정 구리 박막의 상부에 자외선 리소그래피 방식으로 벌집 모양 패턴의 감광액 마스크를 형성하는 제2단계;상기 감광액 마스크가 형성된 단결정 구리 박막을 식각 용액에 침지시켜 상기 감광액 마스크의 패턴과 대응되면서 상기 감광액 마스크의 선폭보다 작은 나노사이즈의 선폭을 갖도록 언더컷 형태로 과다 식각하여 상기 투명 기판의 상부에 벌집 모양 패턴의 단결정 구리 전극층을 형성하는 제3단계;아세톤을 사용하여 상기 감광액 마스크를 상기 단결정 구리 전극층에서 제거한 후 에탄올과 증류수를 사용하여 상기 투명 기판과 상기 단결정 구리 전극층을 세척하는 제4단계; 및상기 감광액 마스크가 제거된 단결정 구리 전극층의 상부에 금속 산화물을 고주파 스퍼터링 방식으로 증착시켜 금속 산화물층을 형성하는 제5단계;로 구성되는 것을 특징으로 하는 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 투명전극 제조방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 제1단계의 고주파 스퍼터링은, 120~180℃에서 30~60W로 5~10분간 실시하여 상기 단결정 구리 박막을 30~150㎚ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 투명전극 제조방법
|
| 7 |
7
제5항에 있어서, 상기 식각 용액은, 증류수, 과산화수소, 및 아세트산이 각각 10~100 : 1 : 1의 부피비로 혼합 구성되는 것을 특징으로 하는 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 투명전극 제조방법
|
| 8 |
8
제5항에 있어서, 상기 제5단계의 고주파 스퍼터링은, 120~180℃에서 20~40W로 10~300분간 실시하여 상기 금속 산화물층을 20~300㎚ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 투명전극 제조방법
|
| 9 |
9
제5항에 있어서, 상기 금속 산화물은,산화아연(ZnO) 또는 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)의 화합물인 것을 특징으로 하는 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 투명전극 제조방법
|
